氦离子注入相关论文
随着超尖端灯丝制作工艺的突破，气态场离子源技术得到了前所未有的发展，依托该技术成型的氦离子显微镜弥补了传统聚焦离子束的不足，将......
作者使用增强质子背散射方法,分析了几种Mo基体纳米钛膜中氦的保持量情况.结果表明:采用离子注入法注入的氦在纳米钛膜中能保存较......
用扫描电子显微镜研究了室温下氦离子辐照Fe77Ni5B18等 10种非晶态合金的表面形貌。氦离子的能量为 4 0keV和 6 0keV ,总注量为 1.......
用慢正电子束探针测量了经剂量为5×1016cm-2的140keVHe+注入的Si(100)单晶S参数与正电子入射能量的关系,得到了注入产生缺陷......
提出一种低能He注入局域寿命控制电导调制型功率器件的双极输运模型.借助三区双极输运方程导出稳态的非平衡载流子浓度分布和正向......
采用热解析法初步研究了铒、钪膜中离子注入氦的热解析行为。研究结果表明：同种元素铒中离子注入氦的热释放峰位相同,但膜的致密性......
首先简述了He离子注入单晶Si引起的气泡形成、生长以及其它缺陷对其生长的影响, 介绍了Si中He气泡生长的可能微观机制以及它们在现......
<正>为了进行材料实验,研制了1台产生氢氦离子束的注入机。要求能够同时产生200keV的H2+和He+两种离子,离子流强10μA,并且可以方......
以采用机械合金化和热等静压法制备的纳米结构9Cr-ODS钢为研究对象,利用高分辨率透射电镜和扫描透射电镜的高角环形暗场像等手段分......
在集成电路和半导体器件的生产过程中，许多工序都可能使硅片受到金属的污染。由于金属杂质原子扩散并沉积在器件的有源区，会造成诸如......
