栅电荷相关论文
分离栅（split gate trench,SGT）MOSFET器件是电机驱动、电池管理模块中功率管理的核心。器件开关速度、功率损耗等将直接决定系统的......
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优化设计了电力系统用6.5 kV SiC MOSFET,测得该器件的导通电流为25 A,阻断电压为6 800 V,器件的巴利加优值（BFOM）达到925 MW/cm~2。......
随着电子电力系统的发展,对半导体电子器件在高温、高压、高频和强辐射环境下的性能也提出了更高的要求。碳化硅材料因其禁带宽度......
低压功率沟槽MOSFET以其输入阻抗高、开关速度快、输出电流大和热稳定性好、安全工作区大等优点，在电源保护、开关电源、DC/DC变换......
栅电荷是用于衡量功率MOSFET开关性能的重要参数,通常采用在栅极输入电流阶跃信号的方法来测量。一种新型的栅电荷测试电路被提出,......
栅电荷是低压功率MOSFETs开关性能的一项很重要的参数.器件优值(Ron*Qg)是常用来量化开关性能的指标.文中对传统结构和新结构的栅......
针对标准MOSFET的BSIM4模型在高压LDMOS建模及已有LDMOS紧凑模型的不足，提出一种LDMOS宏模型。在本研究中，借助Spectre软件分别对宏......
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VDMOS器件具有开关速度快、开关损耗小、频率特性好等优点,被广泛应用于高频开关器件领域.利用TCAD软件对VDMOS器件进行建模仿真,......
本文分析了栅驱动电路对功率MOSFET开关性能的影响，并结俣一电机伺服单元驱动电路的设计实例，说明了如何根据栅电荷曲线及抑制二极管......
近年来,功率半导体器件的应用领域不断扩展,对技术指标的要求日益提高。栅电荷是功率MOSFET动态特性的重要参数,在军用功率MOSFET......
栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息，是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-So Son等人提出的SOI基绝缘槽......
栅电荷是表征功率MOSFET器件动态特性的重要参数之一,其测试结果与时间和频率有关,受分布参数、测试夹具和电路结构等因素影响较大......
电力电子技术的发展为电能的高效利用发挥了关键性的作用。电力电子技术的核心是功率半导体器件。正所谓“一代电力电子器件,一代......
文章提出一种减小VDMOSFET栅电荷(Qg)的新结构,通过二维数值模拟:相对于常规VDMOSFET,该结构将栅电荷降低42.93%,器件优值(FOM=Qg*......
提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表......
本论文是与海外某公司合作研究的课题。低压功率VDMOSFET 在开关电源、功率电机控制和桥式电路等应用中十分广泛,以上应用电路都要......
