极化库仑场散射相关论文
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)作为GaN材料在电子器件应用中的重要代表,近二十多年来备受关注。一方面,AlGaN/GaNHFETs有效......
本论文分别以有无栅槽、栅长和源漏间距为唯一变量制备AlGaN/GaN HFETs，对比探究PCF散射对凹槽栅耗尽型AlGaN/GaNHFETs器件2DEG电子......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)是GaN基电子器件中的重要代表,GaN材料的优越特性也使得AlGaN/GaN HFETs在大功率、高频应用方......
近几十年以来,人类社会经历了三次半导体材料带动的产业革命。第一代Si、Ge材料、第二代GaAs材料和InP以及第三代宽禁带GaN和SiC材......
GaN材料由于其禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场强、化学性质稳定等优越性能,使得GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)非......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)是第三代半导体中非常具有代表性的电子器件。GaN材料宽的禁带宽度和稳定的化学性质,使得AlGaN......
信息化已成为当今社会发展的大趋势,微电子技术在推进社会信息化进程中起了很大作用。而半导体器件性能的提高直接影响了微电子技......
GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)由于其禁带宽度大、临界击穿电场强、饱和电子漂移速度高、化学性质稳定以及由极化效应产生的二维......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaNHFETS)具有饱和电子漂移速度高、击穿电场强、输出功率高等优点,而且由于自发极化和压电极......
随着微波技术的广泛应用,尤其是无线通讯、航空航天、现代国防电子装备等技术的飞速发展以及工作环境要求的日益苛刻,对电子器件的......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaN HEMTs)具有很多优秀的性能特性,例如高击穿场强、高输出功率、高饱和电子漂移速度。此外,......
Ⅲ族氮化物异质结场效应晶体管由于其具有的良好特性,特别适用于高频和大功率领域的应用。由于目前GaN HEMT器件制备所采用的非自......
