以GaN基半导体材料为代表的第三代半导体材料,是宽禁带直接带隙材料,具有介电常数、导热性能良好、饱和电子漂移速率高、以及抗高......

制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体。实验研究了不同......

随着科学技术的发展，钛酸钡薄膜作为特殊形态的材料，已成为微电子、信息、传感器、光学等技术的基础，并广泛渗透到当前科技的各个领域......

有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在人工蛋白石空隙中填充了磷化铟(InP)晶体以改变这类材料的光学行为,在选择了InP的生长条件的基......

下一代光通信正向高速率、大容量、宽带宽、长距离、高智能以及低成本等方向发展。虽然，光分立器件取得重大进展和突破，如制作工艺相......

该工作主要是自行设计、组建、调试了一套MOCVD系统,并且对整套装置进行了三次较大的改进,第一次主要集中在输送线路的改进;第二次......

扫描电子显微镜是对人工欧泊光子晶体进行形貌观察、研究的重要手段。本文利用扫描电子显微镜对人工欧泊晶体及其填充InP后的形貌......

在自行设计、建立的MOCVD系统上,以Cu(hfac)2为反应前驱物在单晶硅上进行铜薄膜的化学气相沉积,并用AFM、SEM对铜核的成长机理进行......

制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积（MOCVD）技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体。实验研究了不同成......

Ⅲ族氮化物是目前最重要的半导体材料之一。InGaN/GaN异质结构具有出色的光学及电学特性,其光谱范围可以覆盖从紫外光波段到可见光......

AlGaN基紫外发光二极管、探测器等光电子器件因在固态照明、生物化学检测、高密度存储、短波长安全通信及紫外探测等领域的广泛应......

GaN基半导体材料是宽禁带直接带隙材料，具有饱和电子漂移速率高、介电常数小、导热性能良好以及耐高温、抗高电压、抗酸碱腐蚀等特......

本论文主要讨论2°GaAs衬底如何生长高质量GaP外延层。研究了GaP在GaAs衬底上的MOCVD生长和性质表征,主要包括GaP作为电流扩展层存......

利用有机金属化学气相沉积(MOCVD)的方法,在高质量的铝氮(AlN)模板和铝氮/铝镓氮超晶格(AlN/AlGaN SLs)上,通过改变[TMA/(TMa+TMG)......