暗电流密度相关论文
在传统的纺织行业与电子、计算机、生物、材料、艺术等行业交叉越来越频繁的环境下,智能纺织品这一新时代的产物诞生了。在智能纺......
以光为信息载体实现信息传递的光通信技术,凭借优异的速度传输性能和强大的信息容量成为现代社会最重要的技术之一。其中,与成熟互......
该文报道了Ｓｉ〈，０．７〉Ｇｅ〈，０．３〉／Ｓｉ多量子阱ＰＩＮ光电探测器的研制结果，反向偏压为４Ｖ时的暗电流密度为５０ｐＡ／μｍ〈’２〉，量子效率在峰值０．９５μｍ处为２０℅，响应波长扩展到１．３μｍ以......
选择高阻N型单晶硅材料,X射线探测器为PIN管结构.为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓......
已制成截止波长16/μm具有接近理想热离子发射的暗电流特性的Ge_xSi_(1-x)/Si异质结內光发射红外探测器。由截止波长9.3μm的Ge_(0......
该文报道了Ｓｉ〈，０．７〉Ｇｅ〈，０．３〉／Ｓｉ多量子阱ＰＩＮ光电探测器的研制结果，反向偏压为４Ｖ时的暗电流密度为５０ｐＡ／μｍ〈’２〉，量子效率在峰值０．９５μｍ处为２０℅，响应波长扩展到１．３μｍ以......
有机光电探测器相比于无机光电探测器具有低成本，可大面积探测，光谱可调，质轻以及可柔性应用等诸多优势，因而备受关注。近年来，有机光电......
采用ICP(inductively coupled plasma etching)刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式,研制了像元中心距为10μm、截止波长2.6μm的p-i-n型10......
设计并制作了以Si1N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器．采用气态源分子束外延（GSMBE）方法在Si（100）衬底上生长了20层的自组织Ge量子点．......
电荷耦合器件CCD（Charge Coupled Device，CCD）作为卫星光通信系统中光信标子系统的关键部件，它的工作性能直接影响着光通信系统的整体......
选择高阻N型〈100〉单晶硅材料,X射线探测器为PIN管结构.为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅......
高长径比硅微通道阵列在光子晶体、硅微通道板、MEMS器件等领域应用前景广阔。本文开展了硅微通道阵列光电化学方法腐蚀实验,重点......
采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同......
采用ICP(inductively coupled plasma etching)刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式,研制了像元中心距为10μm、截止波长2.6μm的p-i-n型10......
本工作设计了近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的器件结构,并采用Silvaco-TCAD对器件主要性能参数(包括光谱响应、暗电流等)进行模......
<正> 一、前言绝大多数激光系统都要用探测器系统来接收激光器发射的信息。军用系统方面有测距仪、目标指示器、照明器和行扫描系......
降低微通道板噪声和增加其电子增益是改善微光像增强器信噪比、视场清晰度和亮度增益最好的技术途经之一。采用具有高而且稳定的二......
选用三相三层多晶硅交叠栅结构制作了108×100位,300×230位、512×320位面阵和1024位线阵 CCD 摄象器件。介绍了这种结构的特点、......
采用UHV／CVD方法在Si（100）衬底上生长了多层的自组织Ge量子点，用AFM对量子点的形貌和尺寸分布进行了研究。材料的低温（10K）PL谱测试表明，......
