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设计并制作了以Si1N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器．采用气态源分子束外延（GSMBE）方法在Si（100）衬底上生长了20层的自组织Ge量子点．在此基础上，流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器，为了提高探测器的响应度，采用Si3N4作为增透膜以增强探测器对入射光的吸收，用传输矩阵方法模拟的结果显示，185上nm厚的Si3N4增透膜可以使探测器在1310nm波长处具有较高的吸收率．根据此结果，用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在探测器表面淀积了185nm的Si3N4．在室温下，测得