中波-长波双色量子阱红外探测器

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：deng15088151952

【摘要】

：

采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器（QWIP）

【作者】

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赵永林李献杰刘英斌齐利芳过帆蔡道民尹顺政刘跳

【机构】

：

中国电子科技集团公司第十三研究所

【出处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

：

2008年12期

【关键词】

：

量子阱红外探测器双色暗电流密度响应光谱探测率二维光栅 quantum well infrared photodetectors（QWIP） two-c

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采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器（QWIP）器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽度2μm;对制作的500μm×500μm大面积双色QWIP单元器件暗电流、响应光谱、探测率进行了测试和分析。在-3V偏压、77K温度和300K背景温度下长波（LWIR）和中波（MWIR）QWIP的暗电流密度分别为0.6、0.02mA/c

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