三相三层多晶硅交叠栅结构CCD固体摄象器件

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:spring2011
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选用三相三层多晶硅交叠栅结构制作了108×100位,300×230位、512×320位面阵和1024位线阵 CCD 摄象器件。介绍了这种结构的特点、设计考虑和工艺过程,叙述了几种器件的结构原理和实验结果。制成的器件获得了每次为99.99%以上的转移效率,灵敏度大于3000μA/lm,暗电流密度小于20nA/cm~2,动态范围大于75:1。用这些器件已摄出了清晰的图象。
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