日盲探测器相关论文
采用射频磁控溅射法在石英基底上制备Ga2O3薄膜并在氩气气氛中控制不同的退火温度进行后退火，通过对样品的晶体结构、透射率、表面......
因为大气层强烈的吸收和散射,波长小于280 nm的太阳光不能到达地球表面,这一波长区域为光学探测提供了一个低背景窗口,被称为日盲......
Ga2O3,一种超宽带隙（Eg～4.9 eV）透明氧化物半导体材料,具有高击穿场强、耐高温、抗辐射性强、化学稳定性好等特性,在微纳光电子领域有......
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器......
Ga2O3材料具有禁带宽度高、饱和电子迁移率大、击穿电场高以及抗辐射性能优异等特点,其在日盲探测器、短波发光器件、透明电子器件......
制作了一种新型的结合了AlGaN材料结构和Poly(vinylidene fluoride)(PVDF)热释电材料的日盲紫外探测器。当紫外光从AlGaN一侧背照......
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Si衬底上实现了立方结构的Mg0.25Zn0.75O薄膜生长.在此基础上,实现了Mg0.25Zn0.75 O/n-Si异......
紫外(UV)光电探测技术在民用和军事等众多领域具有广泛的应用,比如生物/化学分析、火焰传感、保密通信、导弹跟踪和环境监测等。由......
β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是......
以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带半导体材料及其器件在紫外光电探测、功率和抗辐射的微电子器件领域有巨大的优势......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
紫外光电器件在绿色照明,光通信和紫外探测等方面有着广泛的应用和巨大的前景。II-VI族半导体氧化锌(Zn O)材料作为一种直接带隙半......
近几年,工作于深紫外区(200-300nm)的半导体光电探测器件已经得到广泛关注,这是由于这一类型的器件广泛用于火焰探测、生物化学制......
氧化镓具备很多独特、优良的物理性质,加之氧化镓单晶衬底、外延薄膜、纳米材料制备技术的日趋成熟,决定着其在日盲光电探测器、功......
结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外......
以氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为代表的Ⅲ族氮化物材料，属于直接带隙宽禁带半导体材料，具有良好的化学和热稳定性。这类半导体以其优异......
