无位错晶体相关论文
放肩前形成一个完全无位错的晶核，等径生长过程使固－液界面平坦是硅无位错晶体生长保持过程中的关键问题。据此讨论分析了Ф４英寸＜１１１＞硅单......
旋转的悬浮区熔硅晶体的外部生长特性通常是正直的圆柱状。然而,向上的区熔的[111]无位错晶体,有时从圆柱状显示一个脊状的突出。......
借助于缩颈工艺用液封直拉法生长了无位错非掺杂 InP 晶体,生长时需要在固-液交界面附近有一个低的温度梯度。温度梯度为55℃/cm ......
一、引言 近年来,国内外研究者对无位错Si单晶中的微观缺陷,都十分重视,已发表了比较系统的研究报告。应当说,无位错晶体的制备成......
Varian公司的2850型高性能晶体生长炉是一种耐用的高产率的自动控制系统,是为进行无位错晶体的生产而设计的。可以生长直径达5时(......
用X射线衍射貌相术研究了硅单晶中孪生界面区域的结构和缺陷.观察表明,除存在由完整的同一原子平面组成的孪生界面外,我们还发现存......
