择优取向生长相关论文
利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO(SMO)作为缓冲层,再沉积LaSrMnO(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结......
以电化学阳极氧化法制备的多孔硅(PS)为衬底,用脉冲激光沉积方法分别在200和300℃下制备了ZnS薄膜,得到ZnS/PS复合体系。利用X射线......
采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/Al/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响......
利用脉冲激光沉积(PLD)分别在Si片和多孔Si衬底上沉积了ZnS薄膜,考察衬底对ZnS薄膜结构和发光性能的影响。X射线衍射(XRD)和扫描电......
采用超声喷雾热解法在玻璃基底上一步合成富Cu的CuInS2薄膜。研究基底生长温度对CuInS2薄膜相结构、表面形貌、导电性、透光率及禁......
采用共溅射氧化法,在普通玻璃衬底上室温直流溅射沉积钒钼金属薄膜,再在大气环境下经热氧化处理获得掺钼VO2薄膜。通过XRD、SEM、......
用XPS分别检测了在相对湿度 60 %～ 75 %的室温环境下存放 60d、10 0 %湿度环境下存放 45d以及在 430℃高温加热 1h的离子束辅助沉积......
用双舟热蒸发制备了掺稀土硫化锌薄膜，用ｘ射线衍射技术对硫化锌粉末和所制薄膜的晶体相结构进行研究，发现硫化锌薄膜的晶体结构与硫化......
使用射频磁控溅射法成功制备了不同掺杂浓度(0—7at.%)的ZnO:Ni薄膜.X射线衍射的θ-2θ和摇摆曲线扫描结果表明,5at.%Ni掺杂ZnO薄......
通过混合物理化学沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,简称为HPCVD),我们在多种单晶衬底上制备出了MgB2超导薄膜.......
采用水热法将硝酸铜(Cu(NO3)2),硝酸铟(In(NO3)3),硫脲(CH4N2S)混合作为前驱体,在160℃的温度下加热反应3h得到CuInS2颗粒,然后用......
采用直流磁控溅射法分别将Cu(Ti)和Cu(Cr)合金层沉积在SiO_2/Si衬底上,随后将制得的样品在真空(2×10~(-3)Pa)中退火1 h,退火温度......
引言 随着半导体集成电路的发展及对多晶硅研究的深入,在硅衬底上选择性生长单多晶硅的工艺日趋成熟,其应用也已越出了隔离技术而......
本文探讨了联氨法生长硫化铅光敏薄膜的机理。根据国内外有关文献中提供的实验结果以及通过亲自实验过程中发现的现象,提出了薄膜......
通过在EDTA(乙二胺四乙酸)络合SrSO4水溶液中进行电沉积的方法,在SS304基板上制备SrSO4涂层,通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)......
利用双层辉光等离子渗金属技术,在碳钢表面合成TiN,研究不同的Ar/N2流量比对合成的TiN的影响,获得Ar/N2流量比与TiN表面硬度、表面......
近年来，锂离子电池已广泛应用于移动电话等小型电子设备，并已在电动汽车(EV）和混合动力汽车(HEV)等交通工具上展现出广阔的前景。富锂......
六方晶系结构的ZnO是一种重要的宽禁带氧化物半导体材料,室温下带隙宽度为3.37eV,并且具有较大的激子束缚能（60meV）,容易与其他类型......
采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜。通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子......
期刊
利用磁控溅射方法在(100)Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积得到了(110)择优取向生长的La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜.利......
以二水合醋酸锌为原材料，采用溶胶-凝胶浸涂法在钠钙玻璃基片上制备了具有C轴择优取向的ZnO：Al薄膜，考察了铝掺杂浓度对薄膜结晶性与......
用双舟热蒸发制备了掺稀土硫化锌薄膜，用Ｘ射线衍射技术对硫化锌粉末和所制薄膜的晶体相结合进行研究，发现硫化锌薄膜的晶体结构与硫化......
利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SM......
MFI沸石晶形及其形态的调控一直都是分子筛研究的重要方面。本文主要综述了单晶分子筛、纳米分子筛、核壳结构分子筛以及特殊取向......
