带间隧穿相关论文
带间级联激光器在军事和民用上具有重要的应用价值。传统GaInSb/InAs/GaSb结构的有源区多量子阱的光学增益相对较小,特别的在高温......
由于导电沟道-源/漏电极界面处可能发生的载流子带间隧穿,传统类金属氧化物半导体(MOS)碳纳米管场效应管呈现双极性传输特性,极大......
伴随半导体技术的发展，隧穿场效应晶体管(TFETs)作为传统金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)替代者已经被广泛研究.作为后MOS......
介绍了多晶硅薄膜晶体管（P-Si TFTs）中的带间隧穿（BBT）效应的产生机理，分析了BBT对P—Si TFT电流特性的影响，总结了关于P-Si FTF带间隧穿......
基于4H-SiC材料参数,同时考虑雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,建立了一套新型击穿解析模型.模型中首次考虑了雪崩碰撞和带间隧穿两种......
横向绝缘栅双极晶体管(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor:LIGBT)具有电压控制、低导通电阻和高输入阻抗等优点,且兼具纵......
由于具有更为显著的量子隧穿效应，碳纳米管场效应管具有较硅基MOS管不同的尺寸缩小特性，同时，由于工作机理的不同，类MOS碳纳米管场效应......
近年来集成电路技术的快速发展使得传统CMOS工艺在特性上面临自身的极限,功耗问题日益突出。而隧穿场效应晶体管借助于与传统MOSFE......
本文通过第一性原理计算方法研究了二维单层黑磷(MLBP)的带间隧穿,并结合Wentzen-Krammel-Brillouin (WKB)近似对相关结果给出合理......
