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随着片上系统(SoC)电源电压的降低,嵌入式快闪存储器内部电荷泵电路的电压增益不断下降。为提高低电源电压下电荷泵电路的效率,提......
提出了一种适合于低电压嵌入式闪存的灵敏放大器。该灵敏放大器采用了增强电流感应的方法,使得电源电压可以降到1.5V及其以下。灵......
研究了一种0.13μm嵌入式闪存产品量产中常见的由于后段主要金属层互连短路引起的闪存电路读取数值失效的案例。通过采用电学失效......
随着消费电子、物联网等产业的迅猛发展，闪存的发展也面临着巨大的挑战与机遇。为了满足新形势下对闪存更小面积、更低成本的需求，华......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
NOR闪存是大众主流手机市场首选的存储器技术。据市场调研公司iSuppli资料显示，NOR闪存出贷量占手机嵌入式闪存出贷量的92．8％。ST和In......
上海宏力半导体制造有限公司宣布成功建立国内首个0．18微米“超低漏电”（Ultra—LowLeakage，ULL）嵌入式闪存工艺平台。0．18微米“超低漏......
采用片上闪存的32位MCU SH74504和SH74513有助于汽车应用中的辅助驾驶控制系统实现“主动安全”功能。SH74504和SH74513采用高性能......
SAM4SD32是一款基于Cortex-M4处理器的2MB嵌入式闪存微控制器,在工作模式下具有极低的功耗(200μA/MHz)。SAM4SD32MCU采用2MB嵌入......
XC164CM系列是对16位微控制器XC166系列的进一步发展。它可提供令人瞩目的性能和先进的中断处理功能，具备功能强大的集成外设和可靠......
英飞凌为满足成本敏感型应用的需求，改进了XC866产品家族，为产品添加了4K闪存。目前，用户可以选择4KB、8KB和16KB的嵌入式闪存。......
以Z8、Z80闻名于世30年的美国Zilog公司，近几年也悄然发生着变化：2002年上市，发展嵌入式闪存，使Zilog从一个微处理器芯片制造公司转变......
莱迪思半导体公司（Lattice）近日发布了其第三代非易失FPGA器件——LatticeXP2系列。LatticeXP2系列FPGA结合了富士通的90纳米逻辑制......
近日，Altera公司开始提供非易失MAX 10 FPGA，这是Altera第10代系列产品中的最新型号。基于TSMC的55nm嵌入式闪存工艺技术，MAX 10 FPGA......
随着在工业应用中日益增加的设备与生产工艺连接,系统开发商正面临着不断变化的生产条件.他们需要在更短的时间内,并且如果可能的......
Ambiq Micro宣布其Apollo微控制器（MCU）已经向消费产品应用大批量供货蠹最近，业界标准EEMBC ULPBench基准测试中的多个实际应用显示Ap......
贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开售AnalogDevices的ADuCM4050微控制器。这款超低功耗器件采用集成式电源管理功能和SensorSt......
嵌入式闪存(Embedded Flash,EFlash)内部高压的准确性对其读取、编程和擦除的有效性至关重要.为了EFlash IP的高压误差尽可能小,电......
莱迪思半导体公司宣布推出其新的MachXO2PLD系列，为低密度PLD的设计人员提供了在单个器件中前所未有的低成本，低功耗和高系统集成。......
近期飞思卡尔提出了一种全新的高性能的32位微控制器,它集成了基于纳米晶体为存储介质的分裂栅薄膜flash的存储器,而且提供嵌入式......
兼有以太网连接、ARM9E处理器内核、大容量嵌入式SRAM和闪存的通用MCU系列STR910F使得系统工程师能将强大的嵌入式控制应用转化为......
TC1161和TC1162是基于TriCore架构的32位微处理器，集成了高性能66MHz CPU、1MB的嵌入式闪存和丰富的外设，核心供电电压为1．5V，I／O电压为......
ST32和ST33智能卡处理器系列分别采用ARM Cortex－M3 32位处理器架构和ARM COrtex—M3的安全版SC300，搭配大容量的嵌入式闪存。全系列......
日前，中科院微电子所联合清华大学、北京大学在1Gb独立式NOR型闪存芯”研究上取得突破。移动通信等信息技术的迅猛发展加剧了对海量......
采用TSMC的55nm嵌入式闪存工艺技术，MAX 10 FPGA这一革命性的非易失FPGA在小外形封装、低成本和瞬时接通可编程逻辑器件封装包含了......
TraveoS6J32xEK系列产品集成了4MB高密度嵌入式闪存、512KBRAM和12MBVideoRAM、240MHzNArmCOrtex—R5内核、LVDS视频输出、LVTTL视......
越来越多的IC设计人员希望找到方法,在实施低功耗、高耐用嵌入式闪存的同时保持较低的生产成本。Microchip通过其子公司Silicon St......
飞思卡尔半导体在微控制器（MCU）技术领域再次取得突破，进一步推动了下一代传动控制系统设计和其它汽车控制应用的创新步伐。......
英飞凌科技公司日前宣布，推出三款面向汽车和工业应用的16位新型微控制器，以及一款面向对成本非常敏感的工业应用的TriCore^TM系列新......
闪存技术领头羊超捷（Silicon Storage Technology，Inc．，SST）和先进半导体技术方面的领先者三星电子（Samsung Electronics Co．，Ltd）今天宣布，......
专家认为，受持续增长的移动设备和汽车应用需求的驱动，晶圆级封装（WLP）将向I／O数更高和引脚节距更小的方向发展。2009年其他需要关注的W......
基于冠捷半导体高速闪存IP的现有结构,提出一种Pipeline结构的解决方案,对于高速闪存IP设计中速度时序控制进行研究,达到优化闪存......
上海华虹宏力半导体制造有限公司（华虹宏力）的“90nm低功耗嵌入式闪存工艺”项目荣获“国家金卡工程2017年度金蚂蚁奖，最佳产品配套奖......
汽车市场领先的半导体供应商飞思卡尔半导体在微控制器（MCU）技术领域再次取得突破。该公司的旗舰产品MPC55xx汽车控制系列新增了一款......
英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES公司日前宣布。双方围绕40纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）工艺。签订一份合作技术开发与生产协议。......
ZiLOG公司宣布与Yokogawa Digital Computer Corporation(横河数字计算机公司)达成战略合作关系。此项合作代表使用Yokogawa的Netl......
中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称中芯国际）与北京中电华大电子设计有限责任公司（以下简称华大电子）共同宣布，华大电子推出中国第......
意法半导体发布55纳米嵌入式闪存制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器芯片将采用这项先进技术。目前，意法半导体正在位于法国......
