【摘 要】
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Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径,通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位,可以提高材料的少子寿命和少子扩散长度.采用液相外延技术生长了Au掺
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
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Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径,通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位,可以提高材料的少子寿命和少子扩散长度.采用液相外延技术生长了Au掺杂的HgCdTe外延材料,Au的掺杂浓度为～8× 1015/cm3,通过富Hg退火技术来抑制材料中的Hg空位,Hg空位的浓度控制在1～2× 1015/cm3.变温霍尔测试表明,退火材料中的受主杂质能级为8～12 meV,并且与退火条件相关.采用Au掺杂材料和离子注入成结工艺制备了截止波长为14μm的甚长波红外焦平面器件,测试结果显示,用Au掺杂取代Hg空位掺杂,可以显著提高红外探测器的光响应率,探测器的内量子效率可以达到95％以上.
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