宽带隙半导体相关论文
随着科技的飞速发展,人们对电子器件材料的更新和优化愈加重视。由于同时具有透明性及导电性的独特性能,透明导电材料在光电器件领......
宽禁带半导体材料（Eg>2.3eV）又称为第三代半导体材料,主要包括Ⅲ族氮化物、金刚石、ZnO、SiC等。和第一代、第二代半导体材料相比,第......
随着全球工业化进程的高速发展,世界范围内的环境污染与生态破坏日趋严重,环境污染防治的紧迫性日益凸显。各国都在大力探索环境污......
有机聚合物发光二极管(Polymer light-emitting diodes,PLED)由于其可溶液加工、兼容柔性工艺、低成本制备、全光谱彩色显示以及低......
低维纳米材料在帮助理解基本物理概念以及在构造纳米器件等方面目益呈现出重要性。在过去几年中，这一领域取得了很大的进展，由于其结......
ZnO是一种直接宽带隙化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能为60meV，高于室温热能26meV，因而理论上室温下即会获得高效......
学位
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，其激子能够在室温及以上温度下稳定存......
氧化锌是一种宽带隙半导体(3.37eV),具有大的激子束缚能(60meV),在室温下容易获得强的激子发射,被认为是制备紫外发光和发光二极管......
纳米材料尤其是半导体金属氧化物以其独特的物理和化学性质已成为研究热点。如何控制纳米材料的形貌、尺寸、化学组成和晶体结构在......
本文详细介绍了宽带隙半导体SiC的性质、材料制备及器件方面的研究。着重分析了以n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触，Ti、Ni、Ag合金......
Ni O是一种典型的p型半导体,具有良好的光学及电学特性。Ni O同时是现在应用于阻变存储器RRAM研究比较热门的材料。ZnO也是一种重......
半导体光催化材料极具解决能源危机与环境问题的潜力。特别是宽带隙半导体材料,由于这类材料具有宽带隙,使得其氧化还原电位较高,......
随着纳米科技与纳米材料的出现和发展，人们发现材料的性能不仅与材料的成分有关，而且和材料的微观结构和聚集状态密切相关，然而材料的......
近年来，关于半导体纳米结构的电子场发射的报道很多，但是相关的理论研究仍然比较缺乏。因此，许多重要的实验观测现象并没有从物理机理......
TiO2管阵列自1999年为Zwilling等人报道以来,作为一种具有宽带隙半导体性,高长径比及优秀催化本领的新型材料得到了相当的关注并在......
AlN是一种宽带隙半导体，它具有高温稳定性、高热导率、高弹性模量、非毒性，并且具有能从半导体到绝缘体的性质变化等优异的物理性质......
通过化学气相沉积法在单晶GaAs衬底上成功生长了BNxP1-x薄膜材料.利用扫描电镜观察到该薄膜表面十分光滑,其生长层与衬底之间具有......
将科研成果转化为研究型本科实验教学内容,设计了不同极性AlN薄膜的制备及表征综合实验。采用金属有机化学气相沉积方法制备混合极......
利用蒙特卡罗方法研究了GaN、SiC等几种宽带隙半导体材料在β源辐照下的行为。结果表明表层中沉积的β粒子数密度随材料密度的增加......
ZnO是一种新型的宽带隙半导体光电材料，可用于制作高性能的紫外探测器，是未来半导体紫外探测器的发展重点。介绍了ZnO基紫外探测器常......
综述了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)在宽带隙半导体能带结构的研究进展.首次利用全势线性Muffin-tin 轨道(FP-LMTO)方法,......
AIN晶体是直接宽带隙半导体，被广泛用于制作紫外LEDs、蓝光一紫外固态LDs、激光器、紫外探测器和高温、高频、高功率电子器件等。在......
ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点。同时,作为一种氧化物半导体,ZnO半导体在能带结构、晶格缺陷、抗辐照特......
针对宽带隙半导体器件仿真中常见的不收敛性问题，通过分析数值求解算法与宽带隙半导体材料的固有特性知道，其原因是少子浓度过低，从而......
着重论述了以 ＳｉＣ和ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况．分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料，介绍......
以SiC和ZnO等为代表的第三代宽禁带半导体材料由于具有禁带宽度大、化学稳定性好、导热性能强等优点,在下一代高温、高频、大功率......
美国、日本和欧盟等国在SiC、GaN和金刚石等宽带隙半导体器件与电路研究中已取得多项里程碑性的进展,这些飞速发展已经证实宽带隙......
利用超声雾化热分解技术，在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜。所有样品在可见光范围内的透过率可达到85％以上。X射线衍射的测......
SiC和GaN等宽带隙半导体以其固有的高频、大功率、高温和抗恶劣环境应用潜力,在替代传统的Si和GaAs等器件应用于军事及宇航系统装......
有机聚合物宽带隙半导体在能源、信息电子等领域中具有潜在的应用,本课题组聚焦于宽带隙半导体领域,开展分子结构设计和器件制备研......
纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺寸范围或由它们作为基本单元构成的材料。是20世纪80年代发展起来的一种具有全新结......
近年来宽带隙半导体SiC、GaN和Ga2O3准一维纳米材料已引起了人们极大的兴趣，这些纳米材料具有许多独特的性能并且在光、电及机械等......
Ga2O3包括六方晶型（α-Ga2O3）和单斜晶型（β-Ga2O3）等多种结构。其中，β-Ga2O3是一种宽带隙化合物，是当前世界上一个研究热点问题。在室......
宽带隙半导体材料由于其特别的物理性质和广泛的用途而备受人们的关注。ZnO是Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.4 e......
宽禁带半导体材料（Eg>2.3eV）又被称为第三代半导体材料,主要包括金刚石、氮化镓、二氧化钛等。和第一代、第二代半导体材料相比,第三......
近年来，宽带隙半导体材料—GaN一维纳米材料已引起了人们极大的兴趣，这些纳米材料具有许多独特的性能并且在光、电及机械等方面具有......
