Cu20作为一种p型半导体,其p型特征是由固有的Cu原子空位引起的,具有禁带宽度窄(2.14eV)、为直接带隙半导体、且理论吸收系数(18%)......

以溶胶 -凝胶法制备了不同掺铁比例的 Ti O2 膜光催化剂 ,分别以 X-射线衍射和场诱导表面光电压谱进行表征。结果表明 ,在掺铁量小......

偶氮类材料由于其具有成本低、来源丰富、易于加工以及可以通过接不同性质的取代基得到不同性能的光电导体等优点,作为光接受器材......

ZnO作为一种宽禁带(3.36 eV)高激子结合能(60 meV)的半导体材料已引起人们的关注.ZnO纳米粒子的比表面积较大,表面活性较高,对周围......

采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管／线复合阵列．利用表面光电压谱（SPS）和场诱导表面光电压谱（FISPS）研究了退火对TiO2纳米管／线复合阵列表面......

采用水热法合成了{[Cu（phen）（H2O）（o—tpha）]．H2O}。（1），[Cu2Cl4（phen）2]（2），[Cu4Cl4·（bipy）2]（3）和[Cu2Cl2（phen）]。（4）（bipy=2，2’bipyridyl，phen=1，10-......

采用恒电压沉积法在导电玻璃（FTO）上制备了具有三棱柱金字塔状的ZnO/Cu2O异质结薄膜.利用场发射扫描电镜（FESEM）与X射线衍射仪（XRD）对薄......

为了研究CuS纳米材料在光电领域中的应用,采用水热法合成Cu2-xS纳米管,用X射线衍射仪、扫描电镜表征产物的结构和形貌.在25℃下测......

卟啉聚集体在光合作用和生物体新陈代谢过程中发挥着极为重要的作用[1,2]. 但是在复杂的自然界体系中, 研究卟啉聚集体中的电子转......

对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述,系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测......

合成了１，３，５，７－四甲基－２，４，６，８－四乙基卟啉（ＴＭＴＥＰ）及其钯络合物（ＰｄＴＭＴＥＰ），并利用表面光电压谱（ＳＰＳ）和场诱导表面光电压谱（ＦＩＳＰＳ）技术对它们的表面光伏特性进行了研究．ＴＭＴＥＰ有较强的荧光发......