【摘 要】
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为了研究CuS纳米材料在光电领域中的应用,采用水热法合成Cu2-xS纳米管,用X射线衍射仪、扫描电镜表征产物的结构和形貌.在25℃下测试了Cu2-xS纳米管的光吸收性能,利用紫外可见
【机 构】
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西南交通大学超导研究开发中心,新南威尔士大学材料工程学院
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为了研究CuS纳米材料在光电领域中的应用,采用水热法合成Cu2-xS纳米管,用X射线衍射仪、扫描电镜表征产物的结构和形貌.在25℃下测试了Cu2-xS纳米管的光吸收性能,利用紫外可见吸收光谱、表面光电压谱和场诱导表面光电压谱,研究其表面光电性质及光伏响应随电场变化的规律.结果表明：合成的Cu2-xS纳米管外径为325-675 nm,管壁厚为70-125 nm,长度为10-20μm;在300-800 nm紫外可见光谱范围内,存在两个吸收区域,场诱导表面光电压谱表明所制备的样品为n-型半导体.
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