响应光谱相关论文
针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题，提出了两种简便可行的校正方案，即计算仪器......
本文针对碲镉汞红外焦平面探测器的高光谱应用特点和定量化需求,研究了探测器结构对入射光传输过程的影响,研究了表面复合对量子效......
近年来，三维有机无机杂化钙钛矿具有优异的光电性能，被广泛应用于光电探测器中。与CH3NH3PbI3(MAPbI3)相比，NH2CH=NH2PbI3(FAPbI3)以......
学位
研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生......
在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法生长的i-Al0.45Ga0.55N/n-Al0.65Ga0.35N/AlN材料结构上,成功研制了零偏暗电流为10-13量级、峰......
通过对p型量子阱红外探测器(QWIP)的自洽计算,得到了量子阱价带的电子结构和器件的光电流谱,并研究了载流子在动量空间分布对p型QW......
期刊
碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率。为了......
碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究γ辐照对碲铟汞肖特基红外探测器的影响,......
研究了Al0.1-Ga0.9N／GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能,P区采用Al组分含量为0．1的AlGaN外延材料形成窗口层，使340-365......
甚长波红外传感器响应光谱测量的过程中,探测器以及前置放大器均工作于线性工作区是必要的,否则由傅里叶变换光谱仪(FTIR)测得的响......
采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同......
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针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪......
研究了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布对探测器响应光谱的影响．提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的模型，模型中综合考虑了......
研究了1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响.通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极，形成Pt／Hg3In2Te6接触，采用I-V测试仪在120260K温度范围内对其I-V特性......
使用傅里叶变换光谱仪(FTIR)测试甚长波宽波段(6.4~15μm)红外探测器响应光谱的过程中,发现短波方向响应光谱异常。通过分步测试分......
