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压印光刻在图形转移之后,需要去除残留在凹槽底部的胶。采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究。结果表明,随着气压或气体......
本文以CPU金属刻蚀去胶腔为背景，简述干刻清洗工艺开发和评价过程。针对实际应用中的问题，展开讨论。通过实际案例分析．展示了CPU干刻......
<正> 物理系“五·七”半导体厂,在半导体器件制作中,铝膜表面光刻胶的去除,过去一直采用发烟硝酸浸泡,再用丁酮棉球擦拭的办法。......
<正> 目前,在国内外半导体器件制造工艺中,用等离子去胶工艺代替常规化学溶剂去胶及高温氧气去胶已获得显著效果,越来越引起半导体......
