剩余极化强度相关论文
制备不同厚度的Hf0.5Zr0.5O2（HZO）薄膜，并使用不同退火温度对其进行热处理.在最优热处理条件下，所制备薄膜的两倍剩余极化强度可达约40......
研究了[Bi0.5(Na1-xAgx)0.5]1-yBayTiO3(x，y=O～0.10；记为BNBTy-xAg)无铅压电陶瓷的铁电性能。对于BNBT6-xAg陶瓷，随着Ag+含量增加，剩余......
采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbHf0.3Ti0.7O3(PHT)铁电薄膜,并对薄膜的微结构和铁电性能进行了表......
研究了LiNbO3铁电体剩余极化强度与矫顽力随电压,频率和温度的变化。电压升高使剩余极化强度增大,225V附近尤为明显。225V对应LiNb......
柔性压电纳米发电机体型微小、弯折能力强、重复性好、成本低且制作工艺简单,目前已广泛应用于生物医疗、人工智能、健康监测和车......
根据非平衡热力学,复数压电应力常数、复数电致伸缩常数、复数介电常数的数学表达式分别为:e_(31)=e_ (31)′-ie_(31)″、k_(31)=k......
以无机盐为原料,采用改进型溶胶-凝胶法在SNTO(SrNb_(0.05)Ti_(0.95)O_3)/SiO_2/Si底电极上制备了BFO(BiFeO_3)薄膜;然后经550、60......
采用等离子活化烧结技术,制备了具有(100)择优取向的钛酸镨(Pr_2Ti_2O_7)织构陶瓷,研究了烧结工艺对其显微结构、织构化及铁电性能......
在无氧气氛下，采用射频磁控溅射法制备了ＰＬｚＴ系列薄膜，对原位溅射薄膜进行了快速退火及常规退火处理，深入研究了退火工艺对铁电薄膜结构与......
致密、纯钙钛矿结构的ＰＺＴ（５０／５０）铁电薄膜已用ＭＯＤ工艺（金属有机物热分解工艺）获得．通过优化原料的提纯和合成工艺，消除了原料中微量杂质离子，控制ＰＺＴ先体......
采用溶胶-凝胶的方法制备了Bi0.75Sr0.25MnO3化合物,并对其结构、磁性质、铁电性进行了研究。X射线衍射结果显示样品为单相钙钛矿......
BaTiO3薄膜的铁电性通常会受到界面效应的影响而衰减。提出了使用Ta2O5作为隔离层能够有效抑制界面效应。利用脉冲激光沉积技术,在......
以BaTiO3-BaZrO3-CaTiO3（BT-BZ-CT）为主晶相的介电陶瓷,具有较高的介电常数,良好的铁电和压电等电学性能。陶瓷试样的组分、稀土离子......
采用射频磁控溅射技术制备了铁电PZT薄膜。研究了不同温度烧结的靶材与溅射薄膜成分的关系，深入探讨了薄膜的退火工艺对薄膜晶体结......
研究了不同塑料尼龙１０１０和Ｅ－２０环氧树脂与锆钛酸铅（ＰＺＴ）复合而成的压电复合材料的压电性能，结果表明，尼龙１０１０－ＰＺＴ压电复合材料比Ｅ－２０环氧树脂－ＰＺＴ具有较低的饱和极......
无铅铁电薄膜作为一种环境友好型的材料符合未来新材料发展的趋势与潮流,具有不可限量的发展前景。本文主要综述了四种体系(BFO、K......
各种PZT组成在冲击载荷下的工作特性表明:欲获得高的能量密度就要求陶瓷具有高的剩余极化强度和低的电容率,并通过铁电→反铁电的......
本文对热锻铁电陶瓷Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２（ＢＩＴ）的织构类型作了测定，证实为型丝织构。分析了各种标志织构取向程度的方法后，提出可用从衍射谱图直接求得分布函数......
利用溶胶─凝胶法制备了［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３］铁电薄膜。利用ＤＴＡ－ＴＧ，ＸＲＤ和ＳＥＭ研究了［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３］凝胶的分解、晶化过程及［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３］薄膜的显微形貌。为了获得致密无龟裂的［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３］薄膜，应使用具有适当......
本文研究了不同烧结温度的陶瓷靶材对溅射所得到的Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３薄膜的成分、结构和性能的影响。结果表明，由１２００℃时烧结的靶所制备的薄膜中ＰｂＯ的含量偏......
研究了电极材料（Ｐｔ／Ｔｉ）对铁电ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷薄膜结构和性能的影响．认为在Ｐｔ层厚度一定时，Ｔｉ层的厚度对铁电薄膜的结构和性能有显著影响．当Ｔｉ层过厚或过薄时，铁......
以Ｐｂ（ＮＯ３）２、ＴｉＣｌ３为电解质，利用电化学还原方法在不锈钢基底上制备了钙钛矿型ＰＺＴ薄膜（Ｐｂ／Ｚｒ＋Ｔｉ＝１．０７，Ｚｒ／Ｔｉ＝５２／４８），并对薄膜样品性能进行了测试，其介电系数接近１３００，介质损耗０．６，剩余极化强......
利用脉冲准分子激光淀积（ＰＬＤ）方法，在Ｓｉ基片上制备了ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕、ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕铁电薄膜。用ＸＲＤ分析了多层铁电薄膜的晶相结构；用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路研究了这些单层和多......
介绍用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备掺ＹＰＺＴ（ＰＹＺＴ）铁电薄膜的工艺，并比较了ＰＺＴ和ＰＹＺＴ薄膜的性能参数。实验结果表明，掺Ｙ后使ＰＺＴ铁电薄膜的性能得到改善
The process of prepari......
用Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ 锆钛酸铅（ＰＺＴ） 溶胶， 在ＣＶＤ 法沉积生成的掺锡氧化铟（ＩＴＯ） ／ 玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火（ＲＴＡ） 处理后， 用Ｘ 射线衍射（ＸＲＤ） 测试了膜的结晶取向， ......
利用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上在位制备了铌酸锶钡（ＳＢＮ）铁电薄膜，发现ＳＢＮ薄膜在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上均呈（００１）择优取向。用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）表......
对氮冠醚(NC)和花生酸(AA)LB膜(Z型以及交替Y型)的铁电性进行了研究.结果发现:在氮冠醚/花生酸交替Y型LB膜、掺Ba~(2+)的和掺Mn~(2......
采用飞秒脉冲激光沉积系统,在Si(111)衬底上制备了a轴和c轴择优取向的Bi4Ti3O12薄膜．X射线衍射(XRD)表明:室温(20℃)下沉积的Bi4Ti3......
采用溶胶–凝胶工艺(sol–gel)在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上分别制备Bi4–xLaxTi3O12和Bi4Ti3–yNbyO12铁电薄膜,研究La/Nb掺杂对Bi4Ti......
采用金属有机物分解法在Pt/Ti/Si(111)基底上制备了退火温度分别为600℃,650℃,700℃的Bi3.15Eu0.85Ti3O12(BET)铁电薄膜,并对其结......
采用化学溶液沉积法(CSD)在Au/Ti/SiO2/Si衬底上通过自组装生长制备了BiFeO3-NiFe2O4(BFO-NFO)多铁性复合薄膜.X射线衍射图谱(XRD)......
通过射频磁控溅射法和脉冲激光沉积法,以Ti-Al为阻挡层,在(001)Si衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO_3(LSCO)/Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3(NBT)......
采用固相法制备了0.8Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3–0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3(PMnS–PZN–PZT)粉末,然......
采用溶胶-凝胶法在ITO/glass衬底上制备了BiFeO3薄膜.研究了退火温度对BiFeO3薄膜样品的晶体结构、显微结构和铁电性能的影响,退火......
采用溶液结晶法制备了聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜,并利用XRD、ATR测定了薄膜的相组成、结晶度及β相含量.探讨了保温温度、保温时间......
采用微波烧结法制备铁酸铋多铁陶瓷，研究了微波烧结时间对其显微结构、介电性和铁电性的影响。结果表明：在4kW功率下微波烧结35～4......
用溶胶凝胶-自蔓延燃烧法可以快速制备出纳米级的粉体,粒径约为60nm,用粉末-溶胶法所制备的厚膜表面光滑无裂痕。当PVP加入量为0.7......
简要阐述了研究无铅压电陶瓷材料的必要性和迫切性。从Bi0.5 Na0.5 TiO3无铅压电陶瓷材料的主要特性、改进机理、压电、介电性能、......
应用射频磁控溅射方法，利用快速热退火（RTA）工艺，制备出了具有良好铁电性能的(Ba0.7Sr0.3)TiO3（BST) 铁电薄膜。通过对BST 铁电薄膜的厚......
本研究用常压烧结法制备了0.94[(K0.5Na0.5)NbO3]-0.06 LiNbO3陶瓷。研究了烧结温度与KNN-LN陶瓷的密度及电学性能的关系。结果表......
