Bi4Ti3O12/BaTiO3铁电复合薄膜的制备

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shen41941395

【摘要】

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利用脉冲激光分子束外延技术（MBE）在LaAl03（100）基片上依次沉积了La2/3Sr1／3Mn03（LSMO）、BaTi03（BTO）和Bi4Ti3012（BIT）薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、压电力显微镜（PFM）和铁电仪研究了复合薄

【作者】

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张云婕陈长乐郭兵王晶

【机构】

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西北工业大学理学院凝聚态结构与性质陕西省重点实验室

【出处】

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电子元件与材料

【发表日期】

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2014年4期

【关键词】

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BIT BTO铁电复合薄膜分子束外延剩余极化强度矫顽场振幅电压蝴蝶曲线畴翻转特征 BIT/BTO ferroelectric composite f

【基金项目】

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国家自然科学基金资助项目（No.61078057,No.51172183：No.51202195）,陕西省自然科学基金资助项目（No.2012JQ8013）

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利用脉冲激光分子束外延技术（MBE）在LaAl03（100）基片上依次沉积了La2/3Sr1／3Mn03（LSMO）、BaTi03（BTO）和Bi4Ti3012（BIT）薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、压电力显微镜（PFM）和铁电仪研究了复合薄膜的晶体结构、表面形貌、畴结构、单点压电响应信号以及电滞回线。结果表明所制BIT／BTO铁电复合薄膜沿O轴择优取向生长，其PFM相位曲线的畴翻转特征加之明显的振幅．电压蝴蝶曲线证实了该复合薄膜具有良好的铁电性：在外加8V电压下BIT／BTO复合薄膜的剩余极化强度（

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