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自八十年代以来，随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积等技术的发展，低维半导体材料得以广泛应用。因为杂质对于材料中的电子输运及......
在有效质量近似下，利用变分方法研究了像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响。计算中考虑到了阱和垒中电子有效质量的不同。数值计算......
在考虑像势影响的情况下，利用变分的方法计算了垂直电场下无限深介电势阱中激子的结合能，得到了像势对激子结合能的修正随阱宽、电场......
