中温烧结相关论文
本文介绍了利用废玻璃、粉煤灰和高炉渣,采用中温烧结法生产烧结制品的工艺过程,并分析了各工艺参数对制品性能的影响。
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采用溶胶-凝胶工艺先制备了Mn,Ca,Fe,Eu,O的化合物的凝胶,并用马弗炉对凝胶进行中温烧结.研磨成粉末,测量其XRD,结果表明,不同的配......
论文从分析钛酸钡的晶体结构入手,运用XRD、SEM等现代微观分析手段,对钛酸钡及钛酸钡基中温烧结X8R介质陶瓷材料的制备进行了研究,......
用常规电子陶瓷工艺制备了五种配方的(l-x-y)Pb(ZnNb)O3-x PbZrO-yPbTiO(PZN-PZ-PT)系陶瓷,确定了准同晶相界组成为x/y37/33,测量......
本文对中温烧结（Ba，Sr）TiO高压铁电电容器陶瓷性能与结构进行了研究。文章以(Ba，Sr)Ti03为基(简称为BST)，采用传统电容器陶瓷制备工艺和......
本文选取铌镍-锆钛酸铅(1-x)Pb_((1-y-z))Pr_ySr_z(Zr_(1/2)Ti_(1/2))O_3 - xPb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3 (简称PZT-PNN)系统压电陶瓷......
该论文以BaO-TiO系统为研究对象,分别对中温和低温BaO-TiO系统陶瓷的微观结构和介电性能进行了分析.利用电子陶瓷工艺,在系统中添......
本文采用传统固相法,在钛酸钡（BaTiO3）基介质陶瓷的基础上,通过离子掺杂、添加剂改性研制工作温区为-55℃～150℃的无铅高介电常数介质......
研究了工艺对BaTiO3基、中温烧结的高介高稳定MLC介质系统电性能的影响.随着BaTiO3合成温度的提高,系统介电系数先升后降,介电系数......
在多层压电器件的研制过程中，为实现压电陶瓷和Ag/Pd内电极的共烧结，本文对中温1100～1140°C范围烧成的PZN-PZ-PT系压电陶瓷的电性能......
研究了工艺对ＢａＴｉＯ３基、中温烧结的高介高稳定ＭＬＣ介质系统性能的影响。...
研究了掺杂Nb5+、Co2+及玻璃的BaTiO3陶瓷的介电性能.Nb5+、Co2+和玻璃中的Bi3+进入BiTiO3晶格形成晶芯-晶壳结构,其中晶芯由铁电......
使用电子陶瓷工艺制备得到了掺杂Mn和Sn的BaO-TiO2-ZnO-Nb2O5(BTZN)系陶瓷.XRD表明,其主晶相为Ba2Ti9O20BaTi4O9,另外还有少量附加......
本文研究了ＢａＯ－ＴｉＯ２－Ｎｄ２Ｏ３（ＢＴＮ）系陶瓷的结构和介电性质。在该系统中加入适量的玻璃和添加剂，获得了一系列中温热补偿独石电容器（ＭＬＣ）陶瓷，实验结果证实：当Ｔｉ／Ｂａ＝１．００３时，ＢＴＮ系......
Influence of Composition on Properties of Medium Temperature Sintering （Ba, Sr）TiO3 Series Capacitor
作文的影响(Yb2O3， MgO， CeO2， Li2CO3 ) 在中等温度 sintering 的绝缘的性质上(Ba， Sr ) TiO3 (BST ) 系列电容器陶艺借助于常规技术......
针对国内铝土矿和钾盐短缺、严重依赖进口的现状，综合开发利用储量巨大的非水溶性钾矿具重要意义。本实验以具有典型代表性的云南个......
本文研究了中温烧结ＰｂＯ－ＳｒＯ－ＢａＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＰＳＢＮ）系统铁电陶瓷介电性能，通过ＸＲＤ分析确定了在主晶相为具有钨青铜结构的Ｐｂ０．７Ｂａ０．３Ｎｂ２Ｏ６（ＰＢＮ）Ｂａ０．２７Ｓｒ０．７５Ｎｂ２Ｏ５．７８（ＢＳＮ）；分析了添加剂ＭｎＣＯ３，ＴｉＯ２，Ｆｅ２Ｏ３，（ＭｇＣＯ３）４．Ｍｇ（ＯＨ）２．５Ｈ２Ｏ对ＰＳＢＮ系统铁电陶瓷介电性能的影响，由......
用一般的电子陶瓷工艺在中温(1150℃)烧结条件下制备了(Zr,Sn)TiO4系统多层陶瓷电容器(MLCC)用高频陶瓷材料.通过向系统中加入CuO,......
应用SEM,EDAX和XRD等技术,研究了中温烧结的BaO-TiO<sub>2</sub>-Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系陶瓷的结构和介电性质。实验结果......
A RESEARCH ON THE MEDIUM TEMPERATURE SINTERED BaTiO_3-BASE CERAMIC MATERIAL FOR MLC WITH X7R BEHAVIO
采用加入Ｂｉ２Ｏ３＿ＰｂＯ＿ＺｎＯ玻璃及Ｂｉ、Ｃｏ、Ｎｂ掺杂的方法，使ＢａＴｉＯ３基铁电瓷料中温烧结（１０８０～１１４０℃）。在实验结果的基础上，探讨Ｘ７Ｒ铁电瓷料中的第二相和晶粒尺寸对ＭＬＣ的ε＿ｔ性能的影响，并......
用自制ＣａＴｉＯ３与ＴｉＯ２、ＺｎＯ按电子陶瓷通用工艺制备出晶粒均匀致密的热补偿陶瓷，Ｘ射线分析表明其主晶相为Ｃａ２Ｚｎ４Ｔｉ１６Ｏ３６（简称为ＣＺＴ），此外还有ＣａＴｉＯ３以及少量的金红石（ＴｉＯ２）。......
研究了硼铅锌系玻璃对细晶BaTiO3基陶瓷系统介电性能的影响. 玻璃含量的增加可降低系统的烧结温度，同时也使系统的介电性能恶化. 玻......
含低熔物Ｂｉ２Ｏ３．ｎＴｉＯ２及ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３基中温烧结瓷料，通过改性物Ｌａ、Ｎｂ等在固－液相烧结过程中溶＝析和缺位补偿固液溶，主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成核－壳结构，并存在玻璃相，这种非均......
在文献［７］的基础上，通过配方调整和工艺研究，获得了中温烧结的ＰＬＺＴ基Ｘ７Ｒ２６２瓷料，其主要性能指标达到：ε２９８Ｋ＝２６００±１００；ｔｇδ＜４０×１０－４；ρＶ＞１０１３Ω·ｃｍ；Δε／ε２９８Ｋ＜±１３％；Ｅｂ＞１２ｋＶ／ｍｍ；ＴＳ＝（１３７３±......
采用铋钛低熔物降低ＢａＴｉＯ３基资料的烧结温度。当加入量约０．０５ｍｏｌ时，可实现中温烧结，此过程存在过渡液相烧结。改性添加物Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５等在固－液烧结过程中溶－析......
研究了Bi4Ti3O12掺杂量（≥8％，质量分数）对（Ba，Sr）TiO3（Barium Strontium Titanate，BST）铁电电容器陶瓷介电性能的影响，得到不同Bi4Ti3O12掺杂......
利用先驱体NiNb2O6与MnNb2O6掺杂法改性BaTiO3系统.由于2种先驱体可以有效地起到展宽与移峰效应,使系统居里峰在室温附近取得最大......
论文从分析钛酸钡的晶体结构入手,运用XRD、SEM、EDS等现代微观分析手段,对钛酸钡基的高介X7R介质陶瓷材料、高介X8R介质陶瓷材料......
对Ｔａ－Ｗ－Ｙ合金条在中温烧结过程中所出现的体胀现象进行了研究，分析了引起体胀的根本原因及体胀率与烧结温度、Ｗ含量的关系，提出了解决粘条问......
目的通过在Cr膜中添加SnAl元素及中温液相烧结,提高锆合金膜基界面结合强度。方法在Cr靶中添加SnAl元素,制备一种均匀分布的CrSnAl......
以Bi_2O_3、CdO和Nb_2O_5为添加剂对钛酸钡陶瓷加以改性,研制出中温烧结X7R瓷料,其ε约为150,R>10~(12)Ω,tgδ≤0.8％。烧结温度低......
研究了中温烧结的BaO-TiO_2-Nd_2O_3-PbO系陶瓷的结构和介电性能,在BaO-TiO_2-Nd_2O_3系中加入适量的PbO可获得ε_r=75,a_ε=(0......
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多层陶瓷电容器（MLCC）是电子信息技术的重要基础器件。由于电子系统的发展要求，MLCC向宽温、大容量和低成本方向发展。以BaTiO3为基铁......
采用传统电子陶瓷制备工艺，以42BaO-4582O3-13SiO2（BBS）玻璃为烧结助剂，制备了可以中温烧结的Ca0．3（Li1/2Sm1/2）0.7TiO3微波介质陶瓷，对陶......
本文简要探讨高价阳离子Ａ、Ｂ双位取代ＢａＴｉＯ３系固溶体的中温烧结机制，以及其所形成的复合缺陷机构对介电特性的影响，并从实用出发，研制开发了（ＢａＬａ）（ＴｉＮｂ）Ｏ３系......
在多坟电器件的研制过程中，为实现压电陶瓷和Ａｇ／Ｐｄ民极的共烧结，本文对中温１１００￣１１４０℃范围烧成的ＰＺＮ－ＰＺ－ＰＴ系压电陶瓷的电性能进行了研究，结果表明，保温时间对......
本文采用传统固相法和溶胶凝胶法,在钛酸钡（BaTiO3）基介质陶瓷材料的基础上,掺杂纳米级和亚微米级掺杂剂,研制出在中温烧结、工作温......
多层陶瓷电容器（MLCC）是电子信息技术的重要基础器件。为满足电子系统的发展要求, MLCC向宽温、大容量和低成本方向发展。以BaTiO3为......
本文在研究中温烧结ＭｇＯ－ＴｉＯ－ＺｎＯ系陶瓷基础上，获得了温度系数接近于零的瓷料（ＮＰＯ）。ＸＲＤ证明其主晶相为正钛酸镁（２ＭｇＯ．ＴｉＯ２）还有正钛酸锌（２ＺｎＯ．ＴｉＯ２）和ＣａＴｉＯ３附加晶相，同时研究了各组分......
以（Ba，Sr）TiO3为基（简称为BST），采用传统电容器陶瓷制备工艺和常规电容器陶瓷原料，借助正交设计法研究各种掺杂助剂的种类和用量对中温烧......
研制成功一种供多层片式陶瓷电容器(MLC)用的中温烧结X7R瓷料,其组成为BaTiO_3-PbBi_4Ti_4O_(15)-PbNb_2O_6,烧成温度1080℃,ε_r......
测定了乙基纤维素（EC）、聚丙烯酸（PAA）乳液、聚氨酯（PU）乳液等的水溶性和醇溶性，空气中燃烧挥发性和热失重性能。用PAA乳液配制的电子浆料......
