本文采用传统固相法,在钛酸钡（BaTiO₃）基介质陶瓷的基础上,通过离子掺杂、添加剂改性研制工作温区为-55℃～150℃的无铅高介电常数介质陶瓷及中温烧结温度稳定型介质陶瓷。在中温烧结X8R粉料配方基础上,进行扩量实验,制备小批量满足X8R性能的的介质陶瓷。推动了国内相关瓷料及相应高温稳定型多层陶瓷电容器（MLCC）的发展,促进其在国防安全、航空航天、仪器仪表、汽车电子、油煤勘探等领域的应用。在高介电常数X8R型（-55℃～150℃,ΔC/C20℃≤±15%）BaTiO₃基介质陶瓷中,CaZrO₃添加剂可有效提高样品的室温介电常数,改善介质陶瓷的温度特性。实验表明,Ca2+在BaTiO₃中的取代位置与CaZr O₃掺杂量有关,掺杂量小于1.0wt%时,单一取代Ba位,掺杂量大于1.0wt%时同时取代Ba位和Ti位,并使体系居里点向高温移动。通过调整CaZrO₃的掺杂量,在烧结温度1250℃下,制备出满足X8R特性的BaTiO₃基无铅介质陶瓷,其室温介电常数?=4330,介电损耗tanδ<1.5%,电容量温度变化率ΔC/C20℃≤±14%。在高介电常数X8R型BaTiO₃基介质陶瓷中,通过掺杂不同种类的玻璃助熔剂,有效地降低烧结温度,实现中温烧结;通过调整CaZrO₃掺杂量,有效抑制晶粒生长,改善陶瓷微观结构,提升材料的介电性能及耐压值;在此基础上进行扩量实验,调节各工艺参数,确定最佳球磨时间、成型压力、烧结温度等。实现X8R温度稳定型介质陶瓷的小批量生产,制作应用于滤波器连接器用的陶瓷板式阵列电容器。在中温烧结陶瓷的基础上,通过掺杂高居里温度的Na_0.5Bi_0.5TiO₃（简称为NBT）,有效改善陶瓷介电温度特性;通过掺杂MnCO₃降低体系介电损耗,提高其在电路中使用时的可靠性;通过退火工艺的引入,有效减少晶界缺陷,改善其耐压值等电学性能。成功制备出中温烧结的X8R型高性能介质陶瓷。