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[学位论文] 作者：宋新宇,
来源：内蒙古农业大学 年份：2007
本研究给小鼠腹腔注射L.casei zhang DNA,观察L.casei zhang DNA对小鼠腹腔巨噬细胞吞噬率、吞噬指数、巨噬细胞C3b补体的影响和小鼠的毒性试验。...把L.casei zhang DNA作为佐...
[学位论文] 作者：刘雁鸣,,
来源： 年份：2004
GE集团,主要分为“GE”(主要指工业部分)和GE的金融服务集团(即GE Capital),本文比较详细的介绍了GE集团的增长战略、GE Capital的组成和发展历程,对GE Capital与GE其他业务...
[学位论文] 作者：崔景丽,,
来源：内蒙古农业大学 年份：2008
本课题对分离自内蒙古传统发酵酸马奶中的益生菌干酪乳杆菌Zhang(L.casei Zhang)进行固态发酵。经过培养基和发酵条件的优化后,以液态发酵(含水量90%)作比较,对基质初始含水...
[学位论文] 作者：马瑞芬,,
来源：内蒙古农业大学 年份：2015
本研究以Lacto bacillus casei Zhang (L. casei Zhang)为研究对象,运用连续传代的方法研究其实验室进化。...对传代至3000代L. casei Zhang三个谱系的表观特征、基本特性以及基...
[学位论文] 作者：董成,,
来源：内蒙古农业大学 年份：2008
研究在在Cheddar干酪生产中添加2%,1%,0.1%,以及在Cottage干酪生产中添加2%,1%,0.5%的L.casei Zhang发酵剂制作益生菌干酪,并同时做不添加L.casei Zhang...
[学位论文] 作者：王丽娜,
来源：内蒙古农业大学 年份：2023
本实验以干酪乳酪杆菌Zhang（Lacticaseibacillus casei Zhang,等于干酪乳杆菌Zhang,缩写L...
[学位论文] 作者：梁冬雪,
来源：厦门大学 年份：2020
锗(Ge)因其具有高载流子迁移率、在光通信波长(～1.55 μm)具有大的吸收系数,准直接带隙结构以及与Si工艺相兼容等优点,被认为是最有希望的硅基光电集成回路候选材料。...由于Ge中施主杂质的固溶度低、扩散系数大,n型重掺Ge及Ge n+/p浅结的实现已成为制备Ge基器件的挑战之一。...围绕这一问题,本论文开展了 Ge上磷(P)旋涂掺杂及浅结制备的研究,主要工作内容和创新点如下:1.创新地提出了在Ge表...
[学位论文] 作者：赵薇,,
来源：内蒙古农业大学 年份：2020
Lactobacillus casei Zhang(L.casei Zhang)是从内蒙古锡林郭勒牧民家的传统发酵酸马乳中筛选出的一株性状优良的益生菌。在酸和胆盐等环境胁迫存在时,其具有较好的适应和抵...
[学位论文] 作者：郭壮,,
来源：内蒙古农业大学 年份：2009
将21株Streptococcus.thermophilus(S.thermophilus)分别与益生菌Lactobacillus casei Zhang(L. casei Zhang)以1.0×107cfu...
[学位论文] 作者：许蓓,,
来源：西安工程大学 年份：2004
Ge/SiC异质结可以实现SiC器件对可见光和近红外光的触发。由于Ge/SiC异质结界面的电学、光学等特性有别于体材料的光电特性,而SiC和Ge在理论上约存在23.0%的晶格失配,其界面...
[学位论文] 作者：朱海峰,
来源：东南大学 年份：2003
通用电气(GE)公司成立于1892年,其前身是爱迪生于1878年创办的爱迪生电灯公司.GE历经百年而不衰,其管理为全世界所称道,尤其是杰克·韦尔奇担任CEO的20年里,更是将GE带到了一...
[学位论文] 作者：刘林玲,
来源：外语学法教法研究 年份：2014
【Abstract】As a distinguished translator， Zhang Guruo had spent all his life in teaching English literature...
[学位论文] 作者：刘苗,
来源：大连理工大学 年份：2017
因为Ge在Cu中有较大固溶度(约9%)，所以Cu-Ge二元合金系统具有固溶态和化合态两大成分区间。Ge具有较大的原子半径，固溶于Cu中会造成较大的晶格畸变，有望用来提高Cu薄膜的稳定性；...
[学位论文] 作者：黄昌俊,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2002
该论文的工作以自组织为Ge岛为主要研究对象,对单层和多层Ge量子点的结构、尺寸、形状、分布和相应的演化过程,以及光学性质进行了系统的分析,发现了一些新现象,并给出了相应...
[学位论文] 作者：刘冠洲,
来源：厦门大学 年份：2012
Si CMOS尺寸缩小的难度和成本日益增加,高迁移率的Ge沟道MOSFET的研究得到了迅速发展,Ge沟道高k介质MOSFET成为下一代CMOS技术可能的选择之一。然而HfO2/Ge结构面临着界面态...
[学位论文] 作者：葛瑞萍,
来源：南京大学 年份：2009
在Si上外延生长Ge和高Ge组分的Si1-xGex合金具有广泛的应用。采用Ge组分渐变的Si1-xGex合金作为缓冲层可以减少因Ge、Si间存在较大的晶格失配而引起的失配位错，提高外延Ge薄膜...
[学位论文] 作者：郑颖辉,
来源：内蒙古农业大学 年份：2010
本试验主要研究 L.casei Zhang对肉鸡生长性能及消化功能的影响，为肉鸡生产中科学添加 L.casei Zhang，提高肉鸡生产性能提供理论依据。试验以玉米和大豆粕为主要原料配制基础日...
[学位论文] 作者：关中杰,
来源：云南大学 年份：2012
本论文针对改善由Si和Ge之间晶格失配较大而导致的失配位错密度高、表面粗糙度RMS大等问题对Ge薄膜性能的影响，研究制备高质量的Si基Ge薄的方法。本论文利用磁控溅射技术，采用...
[学位论文] 作者：秦志辉,
来源：中国科学院物理研究所 年份：2006
本论文采用扫描隧道显微镜对Si(111)表面上Ge的纳米结构、大范围平整Ge(001)表面的制备、Ge(001...
[学位论文] 作者：王泽华,,
来源：西安电子科技大学 年份：2020
Ge材料具有与Si材料工艺相兼容,能带结构可调整等优点,有望利用其在Si衬底上制备LED作为光电集成的光源器件。...为了本文从分析张应变Ge材料特性入手,利用半导体器件仿真软件Silvaco TCAD搭建了张应变Ge LED器件模型并对结果进行分析,并在实验上制备出了Si-Ge-Si双异质结结构的LED,达到了研究目的...
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