搜索筛选:
搜索耗时1.7796秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 22 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：章晓文,,
来源：生活与健康 年份：2002
于小姐毕业于北京某大学计算机专业,后留校教书。最近她又多了一个身份,为来北京进行商务考察的某跨国公司每天做两个小时的钟点秘书,主要工作是帮助外商翻译一些往来的信件...
[会议论文] 作者：章晓文,
来源：第八届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1999
采用加速寿命试验方法撮了晶片级MOS管的HU氏模型的工艺参数，确定了对应器件寿命值的最大线性跨导的变化率；采用实验的方法确定了在不同的退化机理作用下，引起N沟道热载流子退化......
[期刊论文] 作者：章晓文,
来源：中国人民大学学报 年份：1999
程，１９３８年１２月出生于安徽省黄山山麓。１９６０年毕业于中国人民大学中共党史系。现任中国人民大学政治思想文化研究所所长、教授、博士生导师。兼任北京市日本学研究中心客座教授、北京市......
[会议论文] 作者：章晓文,
来源：中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会 年份：2002
介绍了圆片级可靠性测试技术,对其特点和作用作了详细的论述.测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试,对不同测试结构...
[期刊论文] 作者：章晓文,王锋,
来源：半导体技术 年份：1998
采用准静态Ｃ－Ｖ特性和高频Ｃ－Ｖ特性测试技术，结合温偏（Ｂ－Ｔ）实验，测试了等离子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、固定电荷密度、介电常数、可动离子密度），结......
[期刊论文] 作者：陈蒲生,章晓文,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
采用雪崩热电子注入技术研究了富氮ＳｉＯｘＮｙ纳米级薄膜的陷阱特性。观察到该薄膜存在着受主型电子陷阱，随注入的增长、界面上产生的这种陷阱将起主导作用，其密度大过施主型界面电子陷阱......
[期刊论文] 作者：章晓文,陈蒲生,
来源：半导体技术 年份：1999
采用深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ），测试了等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系），结果表明，采用合适的ＰＥＣＶＤ低温工艺淀积ＳｉＯｘＮｙ膜......
[期刊论文] 作者：章晓文,张晓明,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2002
介绍了评价热载流子注入效应的加速寿命试验,针对具体的工艺线,提取了MOS管加速寿命试验的模型参数,以阈值电压变化10 mV为失效判据,分别对0.8μm和0.6μm工艺线的热载流子注...
[期刊论文] 作者：章晓文,恩云飞,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2002
介绍了圆片级可靠性技术产生的背景，对其特点和作用作了详细的论述。测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试，根据测试数......
[会议论文] 作者：陈蒲生,章晓文,
来源：'98全国材料表面与界面的科学与工程研讨会 年份：1998
...
[会议论文] 作者：章晓文,张晓明,
来源：第九届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2001
采用电荷泵技术研究MOS器件与热载流子注入有关的退化开始于20世纪80年代,该技术是利用衬底电流表征沟道漏端由碰撞电离引起的载流子注入.本文利用HP4155A能提供方波脉冲的特点,建立了电荷泵测试技术,利用该项技术对华晶1.0μm工艺线的抗热载流子注入效应的能力......
[会议论文] 作者：恩云飞,章晓文,罗宏伟,
来源：中国电子学会可靠性分会第十届学术年会 年份：2000
该文采用了标准的集成电路化可靠性评价试验方法对集成电路金属布线的抗电迁移能力进行了可靠性评价试验，并预计了工作应务条件下电迁移寿命。该试验方法通用、简便、可靠，是标......
[期刊论文] 作者：章晓文,陈蒲生,王锋,
来源：半导体技术 年份：1998
采用准静态Ｃ－Ｖ特性和高频Ｃ－Ｖ特性测试技术，结合温偏（Ｂ－Ｔ）实验，测试了等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、固定电荷密度、介电常数、可动离子密度），结......
[期刊论文] 作者：何小琦,徐爱斌,章晓文,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2002
介绍了MCM-D多层金属互连结构的工艺及材料特点,并就Cu薄膜布线导体的结构特点和元素扩散特性,说明了多层布线互连退化的模式和机理,以及防止互连退化的技术措施.实验分析表...
[会议论文] 作者：章晓文,张晓明,韩孝勇,
来源：第三届电子产品可靠性与环境实验技术经验交流会 年份：2001
研制了封装级可靠性模型参数提取系统,该系统用于生产过程的控制与评价,整个系统的功能包括介质击穿、金属化电迁移、PN结及欧姆孔链退化和MOS器件的阈值电压漂移四部分,提取的模型测试为失效分布和寿命分布,用该测试系统进行了电迁移和介质击穿的实际测试并提......
[会议论文] 作者：朱炜玲,黄美浅,章晓文,
来源：中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会 年份：2002
本文从热载流子效应引起器件特性退化角度出发,对几种不同沟长n沟MOSFET的主要特性参数(线性区最大跨导)在直流电应力下的退化特性进行了测试与分析比较,还从热载流子效应机理对器件退化模式进行了解释.......
[会议论文] 作者：章晓文[1]张晓明[1]韩孝勇[2],
来源：第三届电子产品可靠性与环境实验技术经验交流会 年份：2001
研制了封装级可靠性模型参数提取系统,该系统用于生产过程的控制与评价,整个系统的功能包括介质击穿、金属化电迁移、PN结及欧姆孔链退化和MOS器件的阈值电压漂移四部分,提取...
[期刊论文] 作者：陈蒲生,王锋,冯文修,王川,章晓文,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
对等离子体增强化学汽相淀积法制成ＳｉＯｘＮｙ，薄膜组成的ＭＩＳ结构样品，由集成测试系统测量Ｉ－Ｖ特性，用晶体管特性图示仪测试击穿行为。分析研究了该薄膜的Ｉ－Ｖ特性的击穿机理。探讨了膜的击穿电场及其......
[期刊论文] 作者：陈蒲生,王锋,冯文修,王川,章晓文,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
对等离子体增强化学汽相起积（PECVD）法制成SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品，由集成测试系统测量Ⅰ－Ⅴ特性，用晶体管特性图示仪测试击穿行为。分析研究了该薄膜的Ⅰ－Ⅴ特性和击穿机理，探......
[期刊论文] 作者：陈蒲生,章晓文,冯文修,张昊,曾绍鸿,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
采用雪崩热电子注入技术研究了富氮 Si Ox Ny 纳米级薄膜的陷阱特性。观察到该薄膜存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长、界面上产生的这种陷阱将起主导作用 ,其密度大过施...
相关搜索：
