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介绍了圆片级可靠性技术产生的背景，对其特点和作用作了详细的论述。测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试，根据测试数据，对1.0μm工艺线单一失效机理的可靠性进行了评价，对不同测试结构的作用进行了说明。
VLSI圆片级可靠性技术
【摘 要】
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介绍了圆片级可靠性技术产生的背景，对其特点和作用作了详细的论述。测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试，根据测试数
【机 构】
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信息产业部电子第五研究所
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2002年3期
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