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[期刊论文] 作者：周小伟,李培咸,郝跃,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2009
采用脉冲法生长了200nm厚的AlN薄膜,其XRD摇摆曲线的半高宽为130arcsec,表面粗糙度为2.021nm。以此AlN层为基板生长了不同Al组分的AlGaN薄膜,高分辨率XRD测试发现,随Al组分的...
[期刊论文] 作者：白俊春,李培咸,郝跃,杜阳,,
来源：电子科技 年份：2009
针对某高校自主研发的120型GaN—MOCVD系统反应室的流场，进行了计算流体力学（CFD）数值模拟。在模拟过程中，讨论分析了运行参数和反应室结构尺寸的变化对反应室内流场、压力场和温......
[期刊论文] 作者：高志远,郝跃,李培咸,张进城,,
来源：中国科学(E辑:技术科学) 年份：2009
通过改变MOCVD生长GaN反应的V/III比来改变横/纵向生长速度比,以此来研究两步法中高温GaN层的横向生长对材料结构性质的影响.透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)实验的研究...
[期刊论文] 作者：杜阳,李培咸,周小伟,白俊春,,
来源：电子科技 年份：2009
通过MOCVD设备，在c面蓝宝石衬底上异质外延了不同Al组分含量的AlGa1-xN材料。生长过程中采用了低温缓冲层技术、脉冲原子外延技术（PALE）和多层超晶格缓冲技术，例如AlGaN／AlN SLs结...
[期刊论文] 作者：周小伟,李培咸,许晟瑞,郝跃,,
来源：半导体学报 年份：2009
The growth of high-performance Mg-doped p-type AlxGa1-xN (x = 0.2) using metal-organic chemical vapor deposition is reported. The influence of growth conditions...
[期刊论文] 作者：徐大庆,张义门,张玉明,李培咸,王超,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
This paper reports that the Raman spectra have been recorded on the metal-organic chemical vapour deposition epitaxially grown GaN before and after the Mn ions...
Degraded model of radiation-induced acceptor defects for GaN-based high electron mobility transistor
[期刊论文] 作者：范隆,郝跃,赵元富,张进城,高志远,李培咸,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
Using depletion approximation theory and introducing acceptor defects which can characterize radiation induced deep-level defects in AlGaN/GaN heterostructures,...
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