【摘 要】
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通过MOCVD设备，在c面蓝宝石衬底上异质外延了不同Al组分含量的AlGa1-xN材料。生长过程中采用了低温缓冲层技术、脉冲原子外延技术（PALE）和多层超晶格缓冲技术，例如AlGaN／AlN SLs结
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院,西安电子科技大学微电子学院
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通过MOCVD设备，在c面蓝宝石衬底上异质外延了不同Al组分含量的AlGa1-xN材料。生长过程中采用了低温缓冲层技术、脉冲原子外延技术（PALE）和多层超晶格缓冲技术，例如AlGaN／AlN SLs结构，成功得到了表面光滑无裂纹的AlxGa1-xN膜。并且通过HRXRD对材料进行了多个晶面方向上的摇摆曲线和2θ-ω表征测试，在此测试基础上对材料的Al组分、a轴和c轴的晶格常数以及位错密度进行了相应的计算，并定性的分析了材料的应变状态。
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