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针对某高校自主研发的120型GaN—MOCVD系统反应室的流场，进行了计算流体力学（CFD）数值模拟。在模拟过程中，讨论分析了运行参数和反应室结构尺寸的变化对反应室内流场、压力场和温度场的影响及对工艺条件的优化。模拟结果表明，数值仿真对MOCVD设备的结构设计及调试运行具有重要的指导和辅助作用。