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[期刊论文] 作者：王源,张义门,张玉明,
来源：计算物理 年份：2003
提出了一种功率AlGaAs／GaAsHBT的自加热温度模型，讨论了在大电流条件下，器件晶格温度升高和基区扩展效应对HBT器件频率特性的影响，并对器件的晶格温度、截止频率和最高振荡频率在......
[期刊论文] 作者：张奇荣,权海洋,张义门,
来源：微电子学与计算机 年份：2003
文章介绍了20位、5V单电源过采样∑-△A/D转换器,根据精度与阶数和过采样比的关系,设计了4阶∑-△调制器.在∑-△调制器中添加了局部负反馈,使转换器能对满量程(FS)输入信号...
[会议论文] 作者：王雷,张义门,张玉明,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文在建立4H-SiC MESFETs的模型的基础上运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MSFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性...
[期刊论文] 作者：吕红亮,张义门,张玉明,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2003
基于4H-SiC材料参数,同时考虑雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,建立了一套新型击穿解析模型.模型中首次考虑了雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,能够反映温度、掺杂浓度等参数对器件击...
[期刊论文] 作者：吕红亮,张义门,张玉明,
来源：物理学报 年份：2003
基于 4H SiC材料特性 ,建立了 4H SiCpn结型二极管的击穿模型 .该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和隧穿效应 .利用该模型 ,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响 ;解释了...
[期刊论文] 作者：王守国,张义门,张玉明,
来源：半导体学报 年份：2003
考虑离子注入沟道和沟道深度的影响，提出了精确的离子注入4H—SiC MESFET器件夹断电压的理论计算方法．注入浓度由蒙特卡罗模拟软件TRIM提取计算．研究了温度、外延层受主浓度、注......
[期刊论文] 作者：王守国,张义门,张玉明,
来源：电子科技大学学报 年份：2003
用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层.注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮...
[会议论文] 作者：苗永斌,张玉明,张义门,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
拥有PiN二极管高阻断电压、低漏电流和肖特基势垒二极管(SBD)小开启电压,大导通电流以及高开关速度的优点,具有很好的开关特性的碳化硅MPS(Merged PiN Schottky diodes)是最...
[会议论文] 作者：周拥华;张义门;张玉明;,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
模拟了p-n结结构的6H-SiC紫外光探测器的光响应灵敏度特性.重点讨论了不同的结构,不同的掺杂浓度,以及不同的器件结深对响应灵敏度的影响.对于p-n结的器件,当受光面为p层且厚...
[期刊论文] 作者：王守国,张义门,张玉明,
来源：电子科技大学学报 年份：2003
用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层。注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件 TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到...
[期刊论文] 作者：尚也淳,张义门,张玉明,刘忠立,
来源：电子与信息学报 年份：2003
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗γ辐照的能力,在58......
[期刊论文] 作者：牛新军,张玉明,张义门,吕红亮,常远程,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
采用解析模型模拟了4H-SiC混合PiN/Schottky二极管(MPS)的功率损耗及反向恢复,研究了外延层掺杂浓度和厚度、PN结网格宽度等主要的结构参数对该器件功率损耗的影响.模拟结果...
[期刊论文] 作者：杨林安,张义门,于春利,杨永民,张玉明,
来源：计算物理 年份：2003
分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模犁,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应本模型具有计算简单、物理概念...
[期刊论文] 作者：王守国,张义门,张玉明,张志勇,阎军锋,
来源：西北大学学报(自然科学版) 年份：2003
考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响,给出了较为精确的计算SiC-MESFET器件夹断电压的方法,计算的结果和实验值符合较好....
[期刊论文] 作者：Wang Shou-Guo(王守国),Zhang Yi-Men(张义门),Zhang Yu-Ming(张玉明),
来源：中国物理（英文版） 年份：2003
Based on the MIS model, a simple method to extract parameters of SiC Schottky diodes is presented using the I-V characteristics. The interface oxide capacitance...
Theoretical investigation of incomplete ionization of dopants in uniform and ion-implanted 4H-SiC ME
[期刊论文] 作者：Wang Shou-Guo(王守国),Zhang Yi-Men(张义门),Zhang Yu-Ming(张玉明),
来源：中国物理（英文版） 年份：2003
The effects of incomplete ionization ofnitrogen in 4H-SiC have been investigated. Poisson’s equation is numerically analysed by considering the effects of Pool...
[期刊论文] 作者：Lu Hong-Liang(吕红亮),Zhang Yi-Men(张义门),Zhang Yu-Ming(张玉明),
来源：中国物理（英文版） 年份：2003
A numerical model for 4H-SiC MESFET anisotropy is presented in this paper and the device performances, such as breakdown, temperature and transient characterist...
[期刊论文] 作者：郭红霞,陈雨生,周辉,张义门,龚仁喜,吕红亮,
来源：计算物理 年份：2003
简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿真模拟,建立了电离辐照效应的物理模型,并将...
[期刊论文] 作者：Yang Lin-An(杨林安),Yu Chun-Li(于春利),Zhang Yi-Men(张义门),Zhang Yu-Ming(张玉明),
来源：中国物理（英文版） 年份：2003
The process-related surface state effect is investigated the fabrication of SiC devices, and a nonlinear model for 4H-SiC power metal-semiconductor field effect...
[期刊论文] 作者：郭红霞,张义门,陈雨生,周辉,龚仁喜,何宝平,关颖,韩福斌,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质,用半导体器件模拟软件Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性.结果表明,对于NMOSFET,费米能级临近导带(N沟晶体...
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