4H—SiC离子注入层的欧姆接触的制备

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【摘要】

：

用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层.注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮

【作者】

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王守国张义门张玉明

【机构】

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西安电子科技大学微电子所,西安电子科技大学微电子所

【出处】

：

电子科技大学学报

【发表日期】

：

2003年2期

【关键词】

：

SIC 碳化硅离子注入欧姆接触方块电阻 Silicon carbide ion implantation Ohmic contact sheet resi

【基金项目】

：

国防预研基金

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用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层.注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮离子注入层的方块电阻Rsh为30kΩ/square,Ni/Cr合金与离子注入层的欧姆接触电阻ρc为7.1×10-4Ωcm2.

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