杂质的不完全离化和迁移率的各相异性对4H-SiC MESFET特征频率的影响

来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ihsc2Xid84

【摘要】

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本文在建立4H-SiC MESFETs的模型的基础上运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MSFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性

【作者】

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王雷张义门张玉明

【机构】

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西安电子科技大学微电子研究所(西安)

【出处】

：

第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

【发表日期】

：

2003年期

【关键词】

：

杂质不完全离化迁移率各相异性特征频率小信号特性模拟软件分析的方法正弦稳态模拟结果基础高频比较表运用数值实验器件模型二维

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本文在建立4H-SiC MESFETs的模型的基础上运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MSFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了模拟,模拟结果与实验数值进行比较表明在特征频率f<,T>以内得到了较为满意的结果.在此基础上,分析研究了杂质的不完全离化和迁移率的各相异性对4H-SiC MESFET特征频率f<,T>的影响.

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