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[期刊论文] 作者：俞波,李建军,盖红星,牛南辉,邢艳辉,邓军,韩军,廉鹏,沈光,
来源：激光与红外 年份：2005
对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlxGa1-x)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究.使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响.根...
[期刊论文] 作者：钟林健,邢艳辉,韩军,陈翔,朱启发,范亚明,邓旭光,张宝顺,
来源：发光学报 年份：2014
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(HEMT),研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料...
[期刊论文] 作者：俞波,盖红星,韩军,邓军,邢艳辉,李建军,廉鹏,邹德恕,沈光,
来源：量子电子学报 年份：2005
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获...
[期刊论文] 作者：盖红星,郭霞,邓军,李建军,韩军,邢艳辉,俞波,牛南辉,陈建,
来源：光学技术 年份：2004
可以把垂直腔面发射激光器看作是多层光学薄膜,应用光学薄膜原理对其光学薄膜的特性进行了研究.计算分析了布拉格反射镜和谐振腔模的反射谱受器件结构变化的影响.通过利用菲...
[期刊论文] 作者：刘乃鑫, 王怀兵, 刘建平, 牛南辉, 张念国, 李彤, 邢艳辉,
来源：物理学报 年份：2006
...
[期刊论文] 作者：俞波,盖红星,韩军,邓军,邢艳辉,李建军,廉鹏,邹德恕,沈光地,
来源：第十一届全国基础光学与光物理学术讨论会 年份：2004
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs980nm量子阱.研究了生长温度,生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980nm半导体激光器的研制中,获得了...
[期刊论文] 作者：俞波,韩军,李建军,盖红星,牛南辉,邓军,邢艳辉,廉鹏,沈光地,,
来源：半导体光电 年份：2005
采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱.对计算结果的分析表明...
[期刊论文] 作者：汪加兴,韩军,邢艳辉,邓旭光,王逸群,邢政,姜春宇,方运,,
来源：半导体光电 年份：2013
用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变换红外光谱分析技术研究了不同退火温度对Ge...
[期刊论文] 作者：高志远,薛晓玮,李江江,王勋,邢艳辉,崔碧峰,邹德恕,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
Frank’s theory describes that a screw dislocation will produce a pit on the surface,and has been evidenced in many material systems including GaN.However,the s...
[期刊论文] 作者：沈光地,张念国,刘建平,牛南辉,李彤,邢艳辉,林巧明,郭霞,,
来源：半导体光电 年份：2007
利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管（LED）。发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有...
[期刊论文] 作者：陈翔,邢艳辉,韩军,霍文娟,钟林健,崔明,范亚明,朱建军,张,
来源：发光学报 年份：2013
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了Al x Ga1-x N势垒...
[期刊论文] 作者：邓旭光,韩军,邢艳辉,汪加兴,崔明,陈翔,范亚明,朱建军,张,
来源：发光学报 年份：2013
在Si（111）衬底上用金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气（H2）流量变化对GaN外延......
[期刊论文] 作者：牛南辉,王怀兵,刘建平,刘乃鑫,邢艳辉,李彤,张念国,韩军,,
来源：功能材料 年份：2006
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶......
[期刊论文] 作者：韩军,赵佳豪,邢艳辉,史峰峰,杨涛涛,赵杰,王凯,李焘,邓旭,
来源：发光学报 年份：2018
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上外延GaN薄膜,对高温AlN(HT-AlN)缓冲层在小范围内低生长压力(6.7~16.6kPa)条件下对GaN薄膜特性的影响进行了研究。研究...
[期刊论文] 作者：陈翔,邢艳辉,韩军,霍文娟,钟林健,崔明,范亚明,朱建军,张宝顺,,
来源：发光学报 年份：2013
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了Al x Ga1-x N势垒...
[期刊论文] 作者：邓旭光,韩军,邢艳辉,汪加兴,崔明,陈翔,范亚明,朱建军,张宝顺,,
来源：发光学报 年份：2013
在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对Ga...
[期刊论文] 作者：邓旭光,韩军,邢艳辉,汪加兴,范亚明,陈翔,李影智,朱建军,,
来源：光电子.激光 年份：2013
采用低温AlN成核层,在Si(111)衬底上,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长了GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜(AFM)研究了AlN成核层的厚度...
[期刊论文] 作者：王凯,邢艳辉,韩军,赵康康,郭立建,于保宁,邓旭光,范亚明,,
来源：物理学报 年份：2016
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了掺Fe高阻Ga N以及Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）结构.对Cp_2Fe流量不同的高阻Ga N特性进行了研究.研究结果表明,F...
[期刊论文] 作者：马海鑫,丁广玉,邢艳辉,韩军,张尧,崔博垚,林文魁,尹浩田,黄兴杰,
来源：人工晶体学报 年份：2021
利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜,研究了退火气氛(v(N2)∶v(O2)=1∶1(体积比)、空气和N2)及退火时间对Ga2O3薄膜晶体结构、表...
[期刊论文] 作者：王凯,邢艳辉,韩军,赵康康,郭立建,于保宁,邓旭光,范亚明,张宝顺,,
来源：物理学报 年份：2016
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了掺Fe高阻Ga N以及Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)结构.对Cp_2Fe流量不同的高阻Ga N特性进行了研究.研究结果表明...
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