应变InGaAs／GaAs量子阱MoCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用

来源 :量子电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：meilin116

【摘要】

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使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获

【作者】

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俞波盖红星韩军邓军邢艳辉李建军廉鹏邹德恕沈光

【机构】

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北京工业大学光电子技术实验室

【出处】

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量子电子学报

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

光电子学半导体激光器应变量子阱金属有机化学气相淀积 optoelectronics semiconductor lasers strain quant

【基金项目】

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国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，北京市自然科学基金

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使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件.

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