AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响

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【摘要】

：

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(HEMT),研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料

【作者】

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钟林健邢艳辉韩军陈翔朱启发范亚明邓旭光张宝顺

【机构】

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北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2014年7期

【关键词】

：

AlN厚度 PALE MOCVD HEMT 电学性能 AlN thickness PALE MOCVD HEMT electrical properti

【基金项目】

：

国家自然科学基金(61204011,11204009,61107026,61006084),国家自然科学基金重点基金(U103760),北京市自然科学基金(4142005)资助项目

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利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(HEMT),研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延(PALE)技术生长AlN隔离层的时间为12 s(1 nm左右)时,HEMT材料的方块电阻最小,电子迁移率为1 500 cm2·V-1·s-1,二维电子气(2DEG)浓度为1.16×1013cm-2。AFM测试结果表明,一定厚度范围内

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