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[期刊论文] 作者：王英民,李娟,宁丽娜,高玉强,胡小波,徐现刚,,
来源：Journal of Central South University of Technology 年份：2009
6H-SiC 单身者晶体被升华方法种。外国谷物在晶体的方面上经常发生，这被发现。描绘外国谷物，一纵并且部分切割样品被标准机械处理准备方法。拉曼光谱证实外国谷物实际上是 mis...
[期刊论文] 作者：于国建,宗艳民,张志海,高玉强,胡小波,徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2014
气泡是蓝宝石晶体中的主要缺陷之一.本文中研究了采用泡生法生长蓝宝石晶体中气泡的俘获机理以及在晶体中的分布情况.研究结果表明气泡的分布与温场的结构相关,气泡产生的直...
[会议论文] 作者：王海卫,张新,汤庆敏,李沛旭,李树强,夏伟,徐现刚,
来源：2010年全国半导体器件技术研讨会 年份：2010
利用MOCVD生长Mg掺杂的AIGalnP材料,研究了Mg掺杂特性,在此基础生长了AIGaInP/GalnP 650 nm大功率量子阱激光器。通过采用Zn扩散无吸收窗口技术。制作出150 μm条宽1200 μm...
[会议论文] 作者：胡小波,徐现刚,高玉强,陈秀芳,彭燕,宋生,
来源：第十届全国固体缺陷学术研讨会 年份：2011
本报告主要介绍SiC单晶中几种典型的生长缺陷如:微管、螺位错、基平面位错、基平面弯曲、层错等.利用同步辐射形貌术、原子力显微镜、激光显微镜对这些缺陷进行了观察和表征....
[会议论文] 作者：王成新,徐现刚,曲爽,沈燕,徐华勇,徐明生,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
随着光电子技术的不断进步和国家"十城万盏"等半导体照明示范工程的快速推进,发光二极管的应用领域和市场逐步扩大.通过近几年的努力,我国半导体照明产业发展有了很大的进步,但是在高光效、高可靠性、低成本大功率LED外延和芯片技术上相比于国外还存在一定的差......
[会议论文] 作者：王海卫,张新,李沛旭,汤庆敏,李树强,夏伟,徐现刚,
来源：2010年全国半导体器件技术研讨会 年份：2010
利用MOCVD生长Mg掺杂的AIGalnP材料,研究了Mg掺杂特性,在此基础生长了AIGaInP/GalnP 650 nm大功率量子阱激光器。通过采用Zn扩散无吸收窗口技术。制作出150 μm条宽1200 μm腔长的器件。20℃时,连续电流条件下测试其斜率效率达1.10 W/A,阈值电流560 mA,最大输出......
[会议论文] 作者：邵慧慧,李树强,曲爽,李毓锋,王成新,徐现刚,
来源：第七届中国国际半导体照明论坛 年份：2010
利用湿法腐蚀的方法，制备出图形化蓝宝石衬底(PSS)。通过浓硫酸和浓磷酸混合液高温腐蚀制备出柱状图形和锥状图形，并研究其表面形貌特点和GaN外延后的影响。扫描电镜(SEM)观察显示。柱状与锥状图形的阵列排布都非常整齐，且方向一致。高分辨X-Ray射线摇摆曲线结果表......
[会议论文] 作者：徐化勇,沈燕,刘晓燕,王成新,李树强,徐现刚,
来源：第八届中国国际半导体照明论坛 年份：2011
采用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备了ITO薄膜，通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)等方法对薄膜进行了测试表征。系统研究了衬底温度，氧气流量，沉积速率以及薄膜厚度对ITO表面形貌的影响。......
[期刊论文] 作者：云志强,魏汝省,李威,罗维维,吴强,徐现刚,张心正,,
来源：物理学报 年份：2013
利用飞秒激光直写微纳加工平台,对6H-SiC材料进行了突破衍射极限的微纳结构加工研究.使用中心波长和脉宽分别为800nm和130fs的钛蓝宝石激光器和荧光倒置显微镜搭建了飞秒激光...
[期刊论文] 作者：李沛旭,夏伟,李树强,张新,汤庆敏,任忠祥,徐现刚,,
来源：半导体技术 年份：2008
设计制作非对称宽波导结构无铝量子阱激光器,可降低内部损耗,实现低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延生长,...
[期刊论文] 作者：程兴奎,黄柏标,徐现刚,刘士文,任红文,蒋民华,
来源：红外与毫米波学报 年份：1994
对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０Ａ）／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（３００Ａ）多量子阱结构观察到阱内电子从基态到第一激态跃迁引起的红外吸收。用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ＾－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ＾－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃......
[期刊论文] 作者：李玲,郝霄鹏,于乃森,徐现刚,崔德良,蒋民华,
来源：人工晶体学报 年份：2004
低温 (2 80℃ )条件下 ,通过二甲苯中AlCl3 和NaN3 的反应制备出了AlN纳米微粒。 70 0℃退火 4 8h后 ,得到了纯的立方相AlN纳米晶。通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析 ,验证了...
[期刊论文] 作者：葛炳辉,张怀金,徐现刚,王继扬,蒋民华,Phillip Bu,
来源：人工晶体学报 年份：2003
研究了Er∶Yb∶YCa4O(BO3)3(简称Er∶Yb∶YCOB)的多晶制备和单晶生长,用提拉法生长出光学质量优良的Er∶Yb∶YCOB单晶,测量了其吸收光谱和荧光光谱,分析了其能级和泵浦原理,...
[期刊论文] 作者：董捷,胡小波,徐现刚,王继扬,韩荣江,李现祥,
来源：人工晶体学报 年份：2004
我们采用高分辨X射线衍射法对SiC单晶片中的多型结构进行了研究,研究发现在以4H-SiC为籽晶的晶体生长过程中,4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC出现两相共存或三相共存现象.在单相、两...
[期刊论文] 作者：朱振, 张新, 肖成峰, 李沛旭, 孙素娟, 夏伟, 徐现刚,
来源：中国激光 年份：2004
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[期刊论文] 作者：任红文,黄柏标,徐现刚,刘士文,蒋民华,于淑琴,,
来源：Rare Metals 年份：1992
The MOCVD growth of modified AlAs/GaAs double barrier resonant tunneling diodes(DBRTD)withan A1GaAs chair was reported.The resonances to the first excited state...
[期刊论文] 作者：陈秀芳,杨祥龙,徐现刚,杨学林,魏同波,刘建利,
来源：新材料产业 年份：2018
一、研究背景宽禁带半导体——碳化硅(Si C)和氮化镓(Ga N),是继第1代硅(Si)、锗(Ge)和第2代砷化镓(Ga As)、磷化铟(In P)等材料之后发展起来的第3代半导体材料。宽禁带...
[期刊论文] 作者：程兴奎,黄柏标,徐现刚,任红文,刘士文,蒋民华,
来源：电子学报 年份：2001
由电子波干涉的观点出发，理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态.通过红外光激发，量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰.理论计算......
[会议论文] 作者：云志强,李威,罗维维,吴强,张心正,魏汝省,徐现刚,
来源：第16届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：2012
...
[期刊论文] 作者：任红文,黄柏标,刘士文,刘立强,徐现刚,蒋民华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
利用常压MOCVD技术在较低生长速率下生长出多种GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料,利用低温PL谱和TEM对材料结构进行了表征。所得势阱和势垒结构厚度均匀平整,最窄阱宽为1.8nm。本...
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