【摘 要】
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对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０Ａ）／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（３００Ａ）多量子阱结构观察到阱内电子从基态到第一激态跃迁引起的红外吸收。用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ＾－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ＾－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃
【机 构】
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山东大学光电材料与器件研究所,山东大学晶体材料研究所
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对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０Ａ）／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（３００Ａ）多量子阱结构观察到阱内电子从基态到第一激态跃迁引起的红外吸收。用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ＾－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ＾－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致。
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