【摘 要】
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利用MOCVD生长Mg掺杂的AIGalnP材料,研究了Mg掺杂特性,在此基础生长了AIGaInP/GalnP 650 nm大功率量子阱激光器。通过采用Zn扩散无吸收窗口技术。制作出150 μm条宽1200 μm
【机 构】
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山东华光光电子有限公司,济南 250100
【出 处】
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2010年全国半导体器件技术研讨会
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利用MOCVD生长Mg掺杂的AIGalnP材料,研究了Mg掺杂特性,在此基础生长了AIGaInP/GalnP 650 nm大功率量子阱激光器。通过采用Zn扩散无吸收窗口技术。制作出150 μm条宽1200 μm腔长的器件。20℃时,连续电流条件下测试其斜率效率达1.10 W/A,阈值电流560 mA,最大输出功率超过4.8 W。器件激射波长658 nm,光谱半峰宽(FWHM)只有1.2 nm,寿命超过5 000 h。
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