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[期刊论文] 作者：赵有文,孙文荣,段满龙,董志远,杨子祥,吕旭如,王应利,,
来源：半导体学报 年份：2006
利用液封直拉法（LEC）生长了直径50mm〈100〉和（111〉晶向的InAs单晶．分析研究了n型杂质Sn，S和p型杂质Zn，Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等．利用X射线双晶衍射分析了晶体的完......
[期刊论文] 作者：宋厂义,王社教,郑向红,雷立新,王应利,封娟毅,屈伟,王景林,
来源：中国医学影像技术 年份：2002
目的研究小儿消化道出血99Tcm-高锝酸盐异位胃黏膜的显像特征,建立美克尔憩室和小肠重复畸形影像学的诊断标准.方法对141例消化道出血患儿作了99Tcm-高锝酸盐异位胃黏膜显像,...
[期刊论文] 作者：宋厂义,王社教,郑向红,雷立新,王应利,封娟毅,屈伟,王景林,马驰,
来源：中国医学影像技术 年份：2002
目的 研究小儿消化道出血99Tcm 高锝酸盐异位胃黏膜的显像特征 ,建立美克尔憩室和小肠重复畸形影像学的诊断标准。方法 对 14 1例消化道出血患儿作了99Tcm 高锝酸盐异位胃...
[会议论文] 作者：赵有文;孙文荣;段满龙;董志远;胡炜杰;杨俊;张金利;王应利;刘刚;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。I...
[会议论文] 作者：赵有文;杨凤云;段满龙;孙文荣;董志远;杨俊;胡炜杰;刘刚;王俊;王应利;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
通过对液封直拉法热场和生长条件的优化控制,降低晶体生长过程所受的热应力,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,获得了高质量的2英寸和3英寸直径InP、Ga...
[期刊论文] 作者：赵有文,段满龙,卢伟,杨俊,董志远,刘刚,高永亮,杨凤云,王风华,王俊,刘京明,谢辉,王应利,卢超,,
来源：人工晶体学报 年份：2017
采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm~(-2)。对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍...
[期刊论文] 作者：杨俊,段满龙,卢伟,刘刚,高永亮,董志远,王俊,杨凤云,王凤华,刘京明,谢辉,王应利,卢超,赵有文,,
来源：人工晶体学报 年份：2017
采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%...
[会议论文] 作者：Manlong Duan,段满龙,Zhiyuan Dong,董志远,Jun Yang,杨俊,Jun Wang,王俊,Liu Gang,刘刚,Fengyun Yang,杨凤云,Fenghua Wang,王凤华,王应利,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着新型光电子、红外探测器、毫米波器件等制造技术的快速发展,对标准尺寸的高质量InP,GaSb和InAs单晶衬底的市场需求不断增加。本文介绍了采用液封直拉法批量生长直径2-4英寸的InP、GaSb和InAs单晶以及单晶衬底制备技术的一些最新进展。通过热场优化、控制化......
[会议论文] 作者：ZhiyuanDong[2]董志远[1]JunYang[2]杨俊[1]JunWang[2]王俊[1]LiuGang[2]刘刚[1]FengyunYang[2]杨凤云[1]FenghuaWang[2]王凤华[1]王应利,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着新型光电子、红外探测器、毫米波器件等制造技术的快速发展,对标准尺寸的高质量InP,GaSb和InAs单晶衬底的市场需求不断增加。本文介绍了采用液封直拉法批量生长直径2...
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