【摘 要】
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通过对液封直拉法热场和生长条件的优化控制,降低晶体生长过程所受的热应力,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,获得了高质量的2英寸和3英寸直径InP、Ga
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京 100083
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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通过对液封直拉法热场和生长条件的优化控制,降低晶体生长过程所受的热应力,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,获得了高质量的2英寸和3英寸直径InP、GaSb和InAs单晶。用X-射线衍射摇摆曲线分析了晶体的完整性,其中InP单晶的衍射半峰宽为9-16弧秒,GaSb单晶的衍射半峰宽为12-15弧秒,InAs单晶的衍射半峰宽为12-18弧秒,表明这些晶体具有相当好的完整性。利用机械化学抛光技术获得了表面无损伤的单晶抛光片,通过化学腐蚀清洗的方法去除残留在抛光片表面的颗粒、杂质和损伤层,获得了表面洁净、无损伤、满足外延生长要求的开盒即用单晶衬底并取得很好的使用效果,实现商品化批量生产。
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