【摘 要】
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随着新型光电子、红外探测器、毫米波器件等制造技术的快速发展,对标准尺寸的高质量InP,GaSb和InAs单晶衬底的市场需求不断增加。本文介绍了采用液封直拉法批量生长直径2
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京 100083
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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随着新型光电子、红外探测器、毫米波器件等制造技术的快速发展,对标准尺寸的高质量InP,GaSb和InAs单晶衬底的市场需求不断增加。本文介绍了采用液封直拉法批量生长直径2-4英寸的InP、GaSb和InAs单晶以及单晶衬底制备技术的一些最新进展。通过热场优化、控制化学配比、规范生长工艺等措施,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,保证了单晶质量的重复性和一致性,满足实用化要求。其中InP单晶的X-射线衍射半峰宽为10-20弧秒,GaSb单晶的衍射半峰宽为10-15弧秒,InAs单晶的衍射半峰宽为12-18弧秒,表明这些晶体具有相当好的晶格完整性。针对InP、GaSb和InAs单晶衬底物理化学特性的差异,分别建立了晶片的机械化学抛光、晶片腐蚀清洗等整套工艺技术,有效去除了晶片的表面损伤和残留颗粒,为国内外用户批量生产了开盒即用单晶衬底并取得良好的使用效果和经济效益。
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