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[期刊论文] 作者：刘伊犁,罗晏,姬成周,李国辉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
采用氧离子注入在p型(Be)-GaAs层中形成高阻层.根据I—V测量,光致发光测量,以及TEM方法观察的结果,得知载流子补偿主要与氧注入引入的损伤相关.当退火温度高于600℃时,由于损...
[期刊论文] 作者：刘伊犁,罗晏,李国辉,姬成周,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1992
B~+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形...
[期刊论文] 作者：刘伊犁,罗晏,李国辉,姬成周,
来源：半导体学报 年份：1996
Ｂ＋注入ｎ（Ｓｉ）－ＧａＡｓ层，经高温退火在ＧａＡｓ晶格恢复过程中，Ｂ将占据ＧａＡｓ晶格中一定位置成为替位Ｂ，当Ｂ取代Ａｓ位，则形成双受主ＢＡｓ．当Ｂ取代Ｇａ位，并形成络合物ＢＧａＶＡｓ，将促使Ｓｉ占Ａｓ位，形成受主ＳｉＡｓ和受主络合物ＢＧａＳｉＡｓ．由于所产生的受主与ｎ型层中施主ＳｉＧａ的......
[期刊论文] 作者：刘伊犁,罗晏,李国辉,姬成周,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1992
B~+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形...
[期刊论文] 作者：姬成周,张通和,沈京华,杨建华,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1991
用金属蒸汽真空弧离子(MEVVA)源注入金属离子,能以较低的离子能量而获得较厚的注层.掺杂浓度高,容易诱生金属间化物沉淀,是一种有工业应用价值的强流离子源.讨论了注入原子的...
[期刊论文] 作者：刘伊犁,罗晏,姬成周,李国辉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
采用氧离子注入在p型(Be)-GaAs层中形成高阻层.根据I—V测量,光致发光测量,以及TEM方法观察的结果,得知载流子补偿主要与氧注入引入的损伤相关.当退火温度高于600℃时,由于损...
[期刊论文] 作者：杨建华,张通和,姬成周,陈俊,,
来源：仪表材料 年份：1990
N 和 Ti 注入 TiN 的射程和损伤已在本文中给出。N 和 Ti 注入 TiN 使其颜色发生了变化。试验结果表明,N 和 Ti 注入 TiN 均能使 TiN 的硬度增加.特别是 N 注入使注入层硬度...
[期刊论文] 作者：李维刚, 许颖, 励旭东, 姬成周,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2001
研究了区熔再结晶(ZMR)设备及其工艺特点.在覆盖SiO2的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积(RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜,用区熔再结晶法对薄膜进行处理,得到...
[期刊论文] 作者：谢晋东,张通和,姬成周,陈俊,
来源：核技术 年份：1993
用背散射技术测量了不同注入剂量和大束流密度的Y~+注入H_(13)钢的浓度分布,并研究了注入样品的抗氧化特性。结果表明,Y的浓度分布和峰值浓度的变化与注入剂量和束流密度密切...
[期刊论文] 作者：孙贵如,李国辉,姬成周,张燕文,,
来源：电子显微学报 年份：1993
研究MeV级高能n型离子注入GaAs技术,以期制备出平面结构的深埋层,从而,提高用光刻工艺制备FET和阻挡层的成品率。这在制备单片微波集成电路和光电器件方面很有意义。由...
[期刊论文] 作者：杜树成,刘超,姬成周,李国辉,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2001
针对半导体器件研制过程中等离子体刻蚀工艺的具体需要，研究了硅的低速率刻蚀和钨薄膜的刻蚀.得到了加磁场条件下刻蚀速率与刻蚀气体流量、射频功率的关系曲线.得到了不加磁场......
[期刊论文] 作者：杜树成,于理科,姬成周,李国辉,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：2001
采用锗材料研制出了工作在1.55μm波长的全离子注入光电晶体管.选用(120keV,2.5×1012cm-2)+(260keV,5×1012cm-2)的硼注入和160keV,5×1014cm-2磷注入,650℃15s...
[期刊论文] 作者：李维刚,许颖,励旭东,姬成周,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：2001
研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素,得到该种电池的快速热化学汽相沉积(RTCVD)的最佳条件.同时改进了制备薄膜太阳电池的若干工艺问题,得到了转换效率...
[期刊论文] 作者：任永玲,于理科,李国辉,姬成周,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2003
研制了一种新模式的半导体场效应晶体管——垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET) ,这种结构可以避免现有光刻技术的制约 ,使用常规的半导体双极晶体管工艺 ,既可把有效沟道长...
[期刊论文] 作者：姬成周,李国辉,沈京华,胡玫昕,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
在超高真空条件下,GaAs衬底上淀积钨、硅多层夹层膜,用快速白光辐照形成单一化学相的W_5Si_3肖特基接触。其势垒高度好于0.7V。按Si/W=0.6淀积单层硅、钨膜,能观察到的硅化物...
[期刊论文] 作者：张燕文,姬成周,李国辉,王文勋,
来源：半导体学报 年份：1995
从电特性、激活能、应力和剩余损伤几个方面，对ＧａＡｓ晶体中以较大剂量注入的ＭｅＶ硅原子在一步快退火、两步快退火下的行为进行了分析．经过两步快退火处理的样品，剩余位错环密度降低，晶格应......
[期刊论文] 作者：姬成周,张燕文,李国辉,王文勋,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1993
采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P~+(3MeV,1×10~(14)～3×10~(14)cm~(-2))与MeV能量的Si~+(3MeV,1×10~(14)cm~(-2))共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样...
[期刊论文] 作者：吴小山，林振金，姬成周，杨锡震,
来源：Nuclear Science and Techniques 年份：1994
ＩＯＮ ＢＥＡＭ ＡＮＤ ＳＩＭＳ ＡＮＡＬＹＳＩＳ ＯＮ ＤＡＭＡＧＥ ＯＦ ＧａＡｓ ＤＯＰＥＤ ＷＩＴＨ Ｎ~＋ＷｕＸｉａｏｓｈａｎ；ＬｉｎＺｈｅｎｊｉｎ；ＪｉＣｈｅｎｇｚｈｏｕ；ａｎｄＹａｎｇＸｉｚｈｅｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃ?..ION BEAM AND SIMS ANALYSIS ON DAMAGE OF GaAs DOPED WITH N ~ + WuXiaoshan; Lin Zhenjin; Ji Chengzhou; and Yang Xizhen (Departm......
[会议论文] 作者：李维刚,励旭东,姬成周,许颖,
来源：中国太阳能学会2001年学术会议 年份：2001
本文采用低纯度硅粉拉制的颗粒硅带(SSP)衬底,对RTCVD直接外延多晶硅薄膜并制作电池进行了研究....
[期刊论文] 作者：温亮生,姬成周,张富祥,赵玉文,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1999
在ＲｉｃｈａｒｄＳ．Ｃｒａｎｄａｌｌ和Ｐｏｒｐｏｎｔｈ Ｓｉｃｈａｎｕｇｒｉｓｔ等人工作的基础上，用平均场区域近似（ＵＦＲＡ）方法，对ｐ－ｉ－ｎａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜太阳电池进行了解析分析，得出了电池性能参数与本征层光学带Ｅｇ、电子迁移率Ｕｎ的关系。开路电压Ｖｏｃ、短路电流Ｊｓｃ、电池效率随Ｅｇ的增大而......
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