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B+注入n(Si)-GaAs层,经高温退火在GaAs晶格恢复过程中,B将占据GaAs晶格中一定位置成为替位B,当B取代As位,则形成双受主BAs.当B取代Ga位,并形成络合物BGaVAs,将促使Si占As位,形成受主SiAs和受主络合物BGaSiAs.由于所产生的受主与n型层中施主SiGa的补偿,减少了n型层的载流子浓度,即B的化学补偿效应.本文采用霍耳测量及光致发光测量对B的补偿行为进行分析.