【摘 要】
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研究了区熔再结晶(ZMR)设备及其工艺特点.在覆盖SiO2的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积(RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜,用区熔再结晶法对薄膜进行处理,得到
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京市太阳能研究所光电室
【基金项目】
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国家科技部“九七三”基金资助项目
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研究了区熔再结晶(ZMR)设备及其工艺特点.在覆盖SiO2的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积(RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜,用区熔再结晶法对薄膜进行处理,得到了晶粒致密,且取向一致的多晶硅薄膜层.以此薄膜层为籽晶层,再在上面以RTCVD制备电池活性层,经过标准的太阳电池工艺,得到了转换效率为10.21%,填充因子为0.691 3的电池产品.
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