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[期刊论文] 作者：倪如山,王连卫,
来源：电子显微学报 年份：1996
β－ＦｅＳｉ２薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）由于β－ＦｅＳｉ２具有Ｅｇ＝０．８５０．８７ｅＶ的直接带隙，并能在硅表面外延，被认为是一种潜在的光电子材料...
[期刊论文] 作者：倪如山,王连卫,沈勤我,林成鲁,
来源：电子显微学报 年份：1996
β－ＦｅＳｉ２薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）由于β－ＦｅＳｉ２具有Ｅｇ＝０．８５０．８７ｅＶ的直接带隙，并能在硅表面外延，被认为是一种潜在的光电子材料...
[期刊论文] 作者：,
来源：科技创业 年份：2008
获奖单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海新傲科技有限公司获奖人:王曦林成鲁张苗陈猛俞跃辉张峰李炜宋志棠张正选刘卫丽王连卫林梓鑫陈静李守臣项目简介:绝...
[学位论文] 作者：王连卫,
来源：南京大学 年份：1995
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[期刊论文] 作者：陈向东,王连卫,
来源：半导体学报 年份：1995
本文采用反应沉积－固相外延法制备β－ＦｅＳｉ２薄膜。不同温度及持续时间的后退火处理的Ｘ射线衍射分析表明降低衬底温度，延长退火时间可以提高样品晶体质量。利用卢瑟福背散射方法研究了β......
[期刊论文] 作者：王连卫,陈向东,
来源：物理 年份：1995
β－ＦｅＳｉ２是近年来发展起来的新型硅基光电材料，详细介绍了β－ＦｅＳｉ２的结构，电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作了简要的讨论。......
[会议论文] 作者：陈向东,王连卫,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：黄继颇,王连卫,
来源：功能材料 年份：1999
作为具有优异介电性、压电性的宽禁带半导体材料，ＡＩＮ是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了ＡＩＮ材料结构特性、薄膜制备及应用的最新进展......
[期刊论文] 作者：黄继颇,王连卫,
来源：物理 年份：1998
碳化硅作为新一代宽禁带半导体材料，在高温，高频，高功率，抗辐照电子器件中有着十分广阔的潜在应用前景，文章结合作者的工作，综述了离子束技术在ＳｉＣ研究中的应用，其中包括ＳｉＣ的合成，掺杂，器件......
[期刊论文] 作者：王连卫,庄志诚,
来源：半导体学报 年份：1996
本文采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性......
[期刊论文] 作者：黄继颇,王连卫,
来源：压电与声光 年份：1999
ｃ轴取的ＡｌＮ具有优异的压电性和声表面波传输特性，已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用ＫｒＦ脉冲准分子激光沉积工艺，在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备了ｃ轴取向的ＡｌＮ晶态薄膜。Ｘ射拇衍射与傅里叶变换......
[期刊论文] 作者：黄继颇,王连卫,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
用超高真空蒸发Ａｌ膜，结合氮化合处理工艺在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＡｌＮ晶态薄膜，用Ｘ射线衍射，傅立叶变换红外光谱和Ｘ射线光电子能谱等测试分析技术研究了薄膜的微结构特征。结果表明：经过１０００℃分钟氮化......
[期刊论文] 作者：万青,王连卫,等,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层，首先用真空电子束蒸发法在Si(100)，多昌金刚石（111）衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层，接着在上述衬底上采用脉冲激光...
[期刊论文] 作者：刘彦松,王连卫,
来源：压电与声光 年份：2000
采用脉冲激光淀积（ＰＬＤ）技术，利用ＺｎＯ作为缓冲层，在Ｓｉ（１００）衬底上生长出ＡＩＮ薄膜。Ｘ－射线衍射图谱表明，该ＡＩＮ薄膜具有ｃ轴取向特性。Ｘ－光电子能谱测试表明，要获得接近理想化学配比的ＡＩＮ薄膜，需要高真空演气氛或合适......
[会议论文] 作者：黄继颇,王连卫,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：田菲,袁丁,王连卫,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2009
本文研究了自分离硅微通道（selflift—offsiliconmicrochannels）的氧化问题。自分离是在特定的实验条件下，在完成电化学刻蚀后，硅微通道可以自动和衬底分离的一种新技术。研究发...
[期刊论文] 作者：王玉霞,王连卫,等,
来源：半导体学报 年份：2001
用脉冲ArF准分子激光熔蚀SiC陶瓷靶，在800℃Si(100)衬底上淀积SiC薄膜，经不同温度真空（10^-3Pa)退火后，用FTIR、XRD、TEM、XPS、PL谱等分析方法，研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态...
[期刊论文] 作者：韩永召,王连卫,等,
来源：半导体学报 年份：2001
报道了通过Co/Ni/SiOx/Si(100)体系固相反应，实现三元硅化物（Co1-xNix)Si2薄膜外延生长及薄膜特性的表征。测试结果表明，中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用。XRD和RBS图谱显示...
[期刊论文] 作者：吴大军,钱斌,王连卫,
来源：常熟理工学院学报 年份：2018
纳米石墨烯丰富的尖端和缺陷能够提高材料的场发射性能.然而其与衬底的粘附性差导致在场发射过程中容易发生真空间隙击穿,引起器件失效.本文采用新颖的溶剂热渗碳方法制备了...
[期刊论文] 作者：梁赪,吴大军,王连卫,,
来源：微纳电子技术 年份：2016
宏多孔硅基于MEMS技术,通过清洗、氧化、光刻和湿法刻蚀等工艺流程制备,其大比表面积的多孔三维结构可作为很好的骨架结构。以宏多孔硅为基底,在其表面以及通道内沉积集流层,...
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