SiOx调制的三元硅化物(Co1—xNix)Si2外延

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报道了通过Co/Ni/SiOx/Si(100)体系固相反应,实现三元硅化物(Co1-xNix)Si2薄膜外延生长及薄膜特性的表征。测试结果表明,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用。XRD和RBS图谱显示,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅补底有良好的外延关系。而Co/Ni/Si(100)体系,则形成多晶硅化物膜,和硅衬底没有外延关系。外延三元硅化物(Co1-xNix)Si2膜的晶格常数介于CoSi2和NiSi2之间,从而可以降低生成膜的应用。薄膜的厚度约为110nm;最小沟道产额(χmin)为22%。外延
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