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[学位论文] 作者：罗木昌,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2003
该文主要研究了AlN、SiC、GaN三种宽禁带半导体材料在大失配衬底上的异质外延生长问题,综合运用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、光致发光...
[期刊论文] 作者：罗木昌,杨德仁,
来源：半导体技术 年份：1999
介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点，并对单晶生长过程中出现的关键问题，如锑的挥发，氧含量减少的原因进行了探讨并提出了一些解决办法。...
[期刊论文] 作者：黄鑫,罗木昌,周勋,
来源：红外与激光工程 年份：2004
基于扩散漂移方程,对背照式日盲紫外AlxGa1-xN异质结p-i-n光电二极管和可见盲GaN同质结吸收区和倍增区分离的雪崩光电二极管(SAM-APD)进行了建模,模拟分析了这两种探测器的光...
[期刊论文] 作者：黄鑫,罗木昌,周勋,,
来源：红外与激光工程 年份：2011
基于扩散漂移方程,对背照式日盲紫外AlxGa1-xN异质结p-i-n光电二极管和可见盲GaN同质结吸收区和倍增区分离的雪崩光电二极管(SAM-APD)进行了建模,模拟分析了这两种探测器的光...
[期刊论文] 作者：王亲猛,刘赵淼,罗木昌,
来源：北京工业大学学报 年份：2001
对单晶硅化学气相沉积（ＣＶＤ）反应器在沉积过程中的流场进行了初步分析．通过数值求解三维层流 Ｎａｖｉｅｒ－Ｓｔｏｋｅｓ方程，研究了反应器内浮力效应所引起的流场对称性破坏．结果表明，由于存在浮力效应，轴对称 几......
[期刊论文] 作者：罗木昌,杨德仁,阙端麟,
来源：半导体技术 年份：1999
介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点，并对单晶生长过程中出现的关键问题，如锑的挥发、氧含量减少的原因进行了探讨并提出了一些解决办法The main characteristics of...
[期刊论文] 作者：周勋,周勇,罗木昌,赵文伯,,
来源：红外与激光工程 年份：2012
双色QWIP是一类重要的第三代红外探测器,但很少有研究报道对其有源区结构以及耦合光栅参数进行系统的计算分析和优化设计。文中基于包络函数近似、传输矩阵模型、经典光学原...
[期刊论文] 作者：申志辉,罗木昌,周勋,王颖,,
来源：红外技术 年份：2013
摘要：对日盲AIGaN光电探测器的光谱响应特性进行了仿真模拟，并将仿真结果与实测数据进行了比较分析，发现差异来自AIGaN材料的带尾效应。利用无P型层的材料透过率数据提取了器件......
[期刊论文] 作者：周勋,罗木昌,赵文伯,黄烈云,,
来源：半导体光电 年份：2012
采用Ti/Al/Ti/Au多层金属电极对高Al组分n-AlxGa1-xN(x=0.6)欧姆接触的制备进行了研究,通过优化Ti接触层厚度以及合金退火条件,获得了较低的比接触电阻率(5.67×10-5Ω.cm2)...
[期刊论文] 作者：权利,王颖,龙维刚,罗木昌,周勋,,
来源：半导体光电 年份：2013
介绍了两类主要的紫外图像传感器技术的最新研究进展,根据其特点对它们在特定紫外成像应用需求中的优势和不足进行了简要分析,最后对这些紫外图像传感器技术的未来发展进行了...
[期刊论文] 作者：周勋,罗木昌,赵文伯,黄烈云,,
来源：半导体光电 年份：2014
对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细...
[期刊论文] 作者：申志辉,罗木昌,叶嗣荣,樊 鹏,周 勋,
来源：半导体光电 年份：2019
设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器, 重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试, 试验结果表明样品的抗电离辐照总剂量达到150krad(......
[期刊论文] 作者：赵文伯,周勋,李艳炯,申志辉,罗木昌,,
来源：红外与激光工程 年份：2013
高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构,结合MOCVD外延材料生长的...
[期刊论文] 作者：吴金,孙亚伟,彭杰,郑丽霞,罗木昌,孙伟锋,
来源：电子学报 年份：2020
传统的PLL(Phase Locked Loop)电路受限于环路参数的选定,其相位噪声与抖动特性已经难以满足大阵列、高精度TDC(Time-to-Digital Converter)的应用需求.本文致力于PLL环路带...
[期刊论文] 作者：罗木昌, 孙建东, 张志鹏, 李想, 申志辉, 王颖, 陈红,
来源：红外与激光工程 年份：2018
太赫兹波成像技术在人体安检、医学成像、无损检测等领域具有广泛的应用前景。文中面向高速、高灵敏度和便携式太赫兹成像应用需求,设计实现了一种基于AlGaN/GaN高电子迁移率...
[期刊论文] 作者：孙国胜,罗木昌,王雷,朱世荣,李晋闽,林兰英,
来源：材料科学与工艺 年份：2001
Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程,采用LPCVD方法在Si(001)衬底上生长出了方形3C-SiC岛,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜(SE...
[期刊论文] 作者：罗木昌, 孙建东, 张志鹏, 李想, 申志辉, 王颖, 陈红兵,,
来源：红外与激光工程 年份：2018
...
[期刊论文] 作者：赵文伯, 叶嗣荣, 赵红, 罗木昌, 周勋, 杨晓波, 陈扬,
来源：半导体光电 年份：2004
结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分...
[期刊论文] 作者：邹泽亚,杨谟华,刘挺,赵文伯,赵红,罗木昌,王振,,
来源：半导体学报 年份：2008
第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核...
[期刊论文] 作者：邹泽亚,杨谟华,刘挺,赵文伯,赵红,罗木昌,王振,
来源：半导体学报 年份：2008
第一次报道了以高温A1N为模板层的A1GaN基p-i—n背照式日光盲探测器的制作和器件特性，利用MOCVD方法在（0001）面的蓝宝石衬底上生长了探测器的A1xGa--xN多层外延材料．在无需核化层...
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