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第一次报道了以高温A1N为模板层的A1GaN基p-i—n背照式日光盲探测器的制作和器件特性，利用MOCVD方法在（0001）面的蓝宝石衬底上生长了探测器的A1xGa--xN多层外延材料．在无需核化层的高温A1N模板上生长了p-i—n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分（0．7）A1GaN多层外延结构．利用在线反射监测仪、三轴x射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量．在1．8V的反向偏压下，制作的探测器表现出了日光盲响应特性，在270nm处最大响应度为0．0864A／W，具有约3．5V的正向开启电压