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[期刊论文] 作者：李作金,,
来源：内蒙古石油化工 年份：2010
随着变电站综合自动化水平的不断提高,越来越多的高科技、新技术大量运用到无人值守变电站,极大地提高了电网运行的自动化水平,提高了抵御自然灾害和异常事故的能力和对用户...
[期刊论文] 作者：李作金,
来源：发展 年份：2012
新课标颁布以后,如何提高初中思想品德课教学效果,是每个初中思想政治课教师需要不断探索的问题。一、在初中思想品德课程内容中融入人文性教育新课标将旧课标下的＂理论性＂＂思想......
[学位论文] 作者：李作金,
来源：中国石油大学(华东) 年份：2012
随着我国高寒地区冬季用油量的迅速增长,以及环保要求的日益严格,生产清洁的低凝柴油成为炼油厂的一个重要目标。若将柴油中的正构烷烃异构化,可以在降低柴油凝点的同时保持...
[期刊论文] 作者：李作金,张平,,
来源：半导体光电 年份：1991
本文介绍了我所研制的1024位CCD模拟延迟线的基本原理和结构设计,着重讨论了器件参数及提高器件参数的途径。...
[期刊论文] 作者：赵婉宇,李作金,,
来源：青岛理工大学学报 年份：2013
小晶粒ZSM-5分子筛与微米ZSM-5分子筛相比，具有较大的外表面积和较高的晶内扩散速率，在提高催化剂的利用率和选择性、增强大分子的转化能力、减少深度反应以及降低结焦失活等方......
[期刊论文] 作者：陈慕章,李作金,
来源：半导体光电 年份：1985
本文简要地阐述了2048位线阵电荷耦合光电二极管摄象器件(CCPD)的工作原理及器件的结构、制作特点,同时对一些主要的参数进行了研究、讨论。采用浅结低浓度的光电二极管阵列...
[期刊论文] 作者：李作金,杨亚生,
来源：半导体光电 年份：1994
采用双线型三相埋沟结构，设计并研制成功４０９６位线阵ＣＣＰＤ摄像器件。器件动态范围达６００：１，暗电流密度为１０ｎＡ／ｃｍ￣２。文章阐述了该器件的工作原理、结构设计和制作工艺。Using double-line three-phase......
[期刊论文] 作者：陈慕章,李作金,刘邦函,,
来源：光电子学技术 年份：1987
本文对已研制成的线阵三相多晶硅交迭栅埋沟CCD(BCCD)摄象器件的结构、原理及实验、结果做一个简要的阐述.器件的结构采用双列式独立输出,光敏元区采用n~+-n~--p结构,埋层由...
[期刊论文] 作者：李作金,杨亚生,黄大恒,,
来源：半导体光电 年份：1991
为满足一些特殊领域对高位数线阵CCD的需要,我们用两个线阵2048位单列CCPD进行拼接,构成了4096位CCPD。用于拼接的2048位CCPD是采用埋沟三相三层多晶硅交迭栅埋沟结构。分析...
[期刊论文] 作者：杨家德,李作金,杨亚生,
来源：半导体光电 年份：1993
设计并研制成功128×128元 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)焦平面列阵。介绍了该器件的工作原理。阐述了器件结构和设计思想,并就器件的性能参数进行了研究。...
[期刊论文] 作者：杨家德,李作金,杨亚生,,
来源：半导体光电 年份：1993
设计并研制成功128×128元 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)焦平面列阵。介绍了该器件的工作原理。阐述了器件结构和设计思想,并就器件的性能参数进行了研究。A 128...
[期刊论文] 作者：向勇军,黄烈云,李作金,,
来源：半导体光电 年份：2012
采用PIN结构,研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明,器...
[期刊论文] 作者：胡小夫, 马跃龙, 李作金, 肖克勤, 柳云骐,,
来源：石油学报(石油加工) 年份：2016
以薄水铝石、硅溶胶和磷酸为原料,正二丙胺为有机模板剂,癸二胺或二甲基十八烷基[3-三甲氧基硅丙基]氯化铵为软模板剂,采用水热法合成出梯度孔SAPO-11分子筛。采用X射线衍射...
[期刊论文] 作者：唐有青,李恒,游志朴,张坤,李仁豪,李作金,
来源：半导体光电 年份：2003
高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔.以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标,研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响.在适...
[期刊论文] 作者：熊平,周旭东,邓光华,李作金,王颖,李华高,袁礼华,蒋志伟,
来源：半导体光电 年份：2003
研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD).器件采用最小2 μm设计规则,两层多晶硅结构.器件的像元尺寸为36 μm(H)×34 μm...
[期刊论文] 作者：熊平,周旭东,邓光华,李作金,王颖,李华高,袁礼华,蒋志伟,
来源：半导体光电 年份：2003
研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充...
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